[实用新型]芯片

说明书

本实用新型揭示了一种芯片，该芯片包括形成有电路的晶片、包裹在晶片侧部和顶部的树脂层、位于晶片的顶部且露出树脂层的电极以及覆盖在晶片底部的硅土膜，电极的上表面与树脂层的上表面齐平，且电极由形成在晶片上的锡球经打磨后形成。该芯片能够保护晶片，防止晶片在生产、运输、及安装使用过程中因直接接触而受到物理损伤，提高晶片在恶劣环境中的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别涉及一种芯片。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，芯片的集成度越来越高，芯片的体积变得越来越小，对封装技术的要求也越来越高。晶圆级芯片规模封装(Wafer Level Chip ScalePackaging，简称WLCSP)，作为一种新的封装技术被广泛应用于微型芯片的封装。通常WLCSP的封装技术使用树脂仅封装晶片的底部，而晶片的侧部和顶部并没有被封装，如此导致晶片的侧部和顶部容易受到损伤，而损伤不易被检测可能导致最终产品失效。

实用新型内容

为了解决传统技术中存在晶片的侧部和顶部易受到损伤问题，本实用新型提供了一种芯片。

本实用新型提供一种芯片，包括形成有电路的晶片、包裹在所述晶片侧部和顶部的树脂层、在所述晶片的顶部露出所述树脂层的电极以及覆盖在所述晶片底部的硅土膜，所述电极的上表面与所述树脂层的上表面齐平，且所述电极由形成在所述晶片上的锡球经打磨后形成。

进一步，所述电极的上表面的四个角呈弧形。

进一步，所述电极的上表面宽度介于140～200μm之间，长度介于170～230μm之间。

进一步，所述晶片的长度介于0.54～0.545mm之间，宽度介于0.24～0.245mm，高度介于0.195～0.205mm之间。

进一步，所述芯片的尺寸为长0.55～0.61mm、宽0.25～0.31mm、高0.21～0.27mm。

进一步，形成所述电极的锡球是通过钢网印刷工艺形成。

进一步，所述电极有两个或多个，所述电极相互间隔，且相邻两电极之间填充有所述树脂层。

进一步，所述硅土膜的厚度为22～28um。

本实用新型的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本实用新型提供一种芯片，该封装结构包括晶片、包裹在晶片侧部和顶部的树脂层、在晶片的顶部露出树脂层的电极以及覆盖在晶片底部的硅土膜，电极的上表面与树脂层的上表面齐平，且电极由形成在晶片上的锡球经打磨后形成。树脂层包覆晶片的各个侧部和顶面，硅土膜包覆晶片的底部，使得晶片的各个面均被包覆，而只露出电极，如此，在保证晶片能够与外部电路正常电连接的前提下，还能保护晶片，防止晶片在生产、运输、及安装使用过程中因直接接触而受到物理损伤，提高晶片在恶劣环境中使用的可靠性。电极的上表面与树脂层的上表面齐平，使封装后的结构能够与外部电路平稳连接，防止因出现倾斜而导致焊接不良的情况。电极主要由锡制成，保证后续与外部电路焊接点有良好的融合性，焊接效果好。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本实用新型。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并于说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1为本实用新型的芯片的剖面示意图。

图2为锡球打磨前的芯片的剖面示意图。

图3为芯片的俯视示意图。

具体实施方式

为了进一步说明本实用新型的原理和结构，现结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细说明。