[实用新型]芯片有效
| 申请号： | 201820739626.8 | 申请日： | 2018-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN208127182U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 刘军;袁伟;欧俊舟;罗浩维 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;阙龙燕 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 电极 树脂层 芯片 本实用新型 上表面齐平 恶劣环境 晶片侧部 物理损伤 上表面 硅土 锡球 打磨 电路 覆盖 运输 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片，其特征在于，包括形成有电路的晶片、包裹在所述晶片侧部和顶部的树脂层、位于所述晶片的顶部且露出所述树脂层的电极以及覆盖在所述晶片底部的硅土膜，所述电极的上表面与所述树脂层的上表面齐平，且所述电极由形成在所述晶片上的锡球经打磨后形成。
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述电极的上表面的四个角呈弧形。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述电极的上表面宽度介于140～200μm之间，长度介于170～230μm之间。
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述晶片的长度介于0.54～0.545mm之间，宽度介于0.24～0.245mm，高度介于0.195～0.205mm之间。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片的尺寸为长0.55～0.61mm、宽0.25～0.31mm、高0.21～0.27mm。
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，形成所述电极的锡球是通过钢网印刷工艺形成。
7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述电极有两个或多个，所述电极相互间隔，且相邻两电极之间填充有所述树脂层。
8.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述硅土膜的厚度为22～28um。
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