[实用新型]用于处理基板的腔室

说明书

本实用新型的目的在于提供一种用于处理基板的腔室，其在使用超临界流体处理基板时，即使腔室内部的压力成为高压状态，也可以稳固地保持工艺初期所设置的状态。用于实现所述目的的本实用新型的用于处理基板的腔室包括：第一外壳，其支撑基板；第二外壳，其与所述第一外壳进行螺丝结合；升降驱动部，其使得所述第一外壳或者所述第二外壳升降至所述第一外壳和所述第二外壳进行螺丝结合的开始位置；以及旋转驱动部，其为了所述第一外壳和所述第二外壳之间的螺丝结合，使得所述第一外壳和所述第二外壳中任意一个以上旋转。

技术领域

本实用新型涉及一种用于处理基板的腔室，其使用超临界流体对基板进行清洗或干燥，更加详细地，涉及一种用于处理基板的腔室，其可对高压状态的腔室内部压力进行支撑，同时防止污染的产生。

背景技术

通常，清洗分为湿式清洗和干式清洗，其中，湿式清洗在半导体制造领域中被广泛利用。湿式清洗是在每个步骤使用适合污染物质的化学物质并连续去除污染物质的方式，使用大量酸和碱溶液来对残留于基板的污染物质进行去除。

但是，在所述湿式清洗中所利用的化学物质不仅对环境产生不利影响，而且工艺复杂，从而是使得产品的单位生产成本大大上升的主要因素，不仅如此，在利用于如高集成电路一样精密部分的清洗时，由于界面张力，微细结构的图案变窄并被破坏，由此存在无法有效实现污染物去除的问题。

作为用于解决所述问题的方案，最近正在开发将作为无毒性且不燃性物质、廉价且环保型物质的二氧化碳用作溶剂的干式清洗方法。二氧化碳的优点在于，因为具有低的临界温度和临界压力，所以可轻松达到超临界状态，并且界面张力接近于零(zero)，在超临界状态下，由于高的压缩性而易于使得密度或溶剂强度随着压力变化而变化，并且因为通过减压而转换为气体状态，因此可以简单地从溶质中分离溶剂。

如上所述，使用超临界流体的用于处理基板的腔室是在将基板投入腔室内部或者从腔室向外部搬出时用于开闭腔室的构成，并且包括下部腔室、上部腔室及气缸，基板安放于下部腔室，上部腔室与所述下部腔室的上部相结合并形成有用于处理基板的密闭空间，气缸用于所述上部腔室或者下部腔室的升降移动。

在使用所述超临界流体处理基板时，用于执行基板处理工艺的腔室的内部成为高压状态，为了足以承受所述高压，要求上部腔室和下部腔室能够保持最初所设置的结合状态的稳固性。为此，现有技术中，利用液压缸使得上部腔室或者下部腔室升降移动，并且能够通过液压缸的液压来保持所述移动的状态。但是，如上所述，在利用液压缸的情况，存在如下问题：因油的泄漏而污染用于处理基板的腔室的周边环境，从而导致基板的质量下降。

作为与利用所述超临界流体的用于处理基板的腔室相关的先行技术的例子，在登记专利第10-1099592号中公开了利用超临界流体的基板处理装置，其利用锁定环和锁定键使得包括下部腔室和上部腔室的分离型腔室保持锁定的状态，因此，在腔室内部形成密闭的空间，能够防止实现基板处理的空间的压力下降。

实用新型内容

本实用新型是为了解决如上所述的问题而提出的，其目的在于提供一种用于处理基板的腔室，其在使用超临界流体处理基板时，即使腔室内部的压力成为高压状态，也可以稳固地保持工艺初期设置的状态。

本实用新型的另一个目的在于提供一种用于处理基板的腔室，其排除液压缸的使用，具有能够代替液压缸的腔室的开闭结构，因此可防止污染的产生。

用于实现如上所述的目的的本实用新型的用于处理基板的腔室包括：第一外壳，其支撑基板；第二外壳，其与所述第一外壳进行螺丝结合；升降驱动部，其使得所述第一外壳或者所述第二外壳升降至所述第一外壳和所述第二外壳进行螺丝结合的开始位置；以及旋转驱动部，其为了所述第一外壳和所述第二外壳之间的螺丝结合，使得所述第一外壳和所述第二外壳中任意一个以上旋转。

可构成为，所述升降驱动部使得所述第一外壳升降，所述旋转驱动部使得所述第一外壳旋转。