[实用新型]晶圆传输系统和半导体处理设备有效

专利信息
申请号: 201820710174.0 申请日: 2018-05-14
公开(公告)号: CN208580721U 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 李冰;常青;丁培军;赵梦欣;边国栋 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;姜春咸
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 传输平台 传输腔室 开关结构 传输系统 第一开关 工艺腔室 半导体处理设备 晶圆 连通 本实用新型 传输机械手 安装方式 可维护性 依次设置 传输腔 外侧壁 挂接 两级 种晶 室内
【说明书】:

实用新型公开了一种晶圆传输系统和半导体处理设备。包括:传输平台;至少两级相互连接的传输腔室,均依次设置在所述传输平台上,各级所述传输腔室内均安装有第一传输机械手,并且,各级所述传输腔室的外侧壁均挂接有多个工艺腔室;至少一个第一开关结构,其位于相邻传输腔室之间,以使得该相邻两个传输腔室选择性地连通;多个第二开关结构,位于所述传输平台内部,且每个所述第二开关结构均对应一个所述工艺腔室,以使得该工艺腔室与其所对应的传输腔室选择性地连通。第一开关结构和第二开关结构均安装在传输平台内部,这样,第一开关结构和第二开关结构可以采用相同的安装方式,从而可以提高该晶圆传输系统的可维护性,缩小了传输平台的体积。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域,具体涉及一种晶圆传输系统和一种包括该晶圆传输系统的半导体处理设备。

背景技术

晶圆传输系统是半导体专用设备中的重要组成部分。芯片加工过程中,会对硅晶圆进行一系列的处理:绝对真空,化学腐蚀,高能等离子体撞击和强烈的紫外线辐射等等,经过数百道分散的加工步骤以后,硅晶圆才会被打磨成CPU、存储芯片和图形处理器等等电子器件。这些加工过程对环境要求很高,因此大多数工作都在密封真空室中进行,通过传输系统把晶圆从一个工艺腔室移到另一个工艺腔室。

一般地,晶圆传输系统包括传输平台、依次安装在所述传输平台上的装载腔室、第一级传输腔室、第二级传输腔室等,第一级传输腔室和第二级传输腔室均外挂有工艺腔室。并且,在两级传输腔室之间设置有阀门,在传输平台的外部与各工艺腔室之间还设置有阀门。

但是,上述结构的晶圆传输系统,受制于第二级传输腔室的外形限制,所挂接的工艺腔室的数量较少,无法满足更多的工艺腔室要求。其次,传输平台内部的阀门和传输平台外部的阀门,由于安装位置不同,两处位置的阀门需要单独安装,并且,由于两处位置的阀门安装方式不同,所选用的阀门型号也不同,导致互换性不强,增加晶圆传输系统的维修成本。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种晶圆传输系统和一种包括该晶圆传输系统的半导体处理设备。

为了实现上述目的,本实用新型的第一方面,提供了一种晶圆传输系统,包括:

传输平台;

至少两级相互连接的传输腔室,均依次设置在所述传输平台上,各级所述传输腔室内均安装有第一传输机械手,并且,各级所述传输腔室的外侧壁均挂接有多个工艺腔室;

至少一个第一开关结构,其位于相邻传输腔室之间,以使得该相邻两个传输腔室选择性地连通;

多个第二开关结构,位于所述传输平台内部,且每个所述第二开关结构均对应一个所述工艺腔室,以使得该工艺腔室与其所对应的传输腔室选择性地连通。

可选地,还包括:

至少一个连通腔室,位于相邻的两个传输腔室之间,所述连通腔室的两端分别与该相邻的两个传输腔室连接;并且,

所述连通腔室与该相邻的两个传输腔室相连接的位置处均设置有所述第一开关结构,以使得所述连通腔室与该相邻的两个传输腔室选择性地连通。

可选地,所述第一开关结构和所述第二开关结构均包括开关阀。

可选地,所述第一开关结构的开关阀与所述第二开关结构的开关阀型号相同。

可选地,还包括:

前端腔室,其内安装有第二传输机械手;

装载腔室,位于所述前端腔室和第一级传输腔室之间,所述装载腔室的两端分别与所述前端腔室和所述第一级传输腔室连接;并且,

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