[实用新型]晶圆传输系统和半导体处理设备有效
申请号: | 201820710174.0 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN208580721U | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 李冰;常青;丁培军;赵梦欣;边国栋 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传输平台 传输腔室 开关结构 传输系统 第一开关 工艺腔室 半导体处理设备 晶圆 连通 本实用新型 传输机械手 安装方式 可维护性 依次设置 传输腔 外侧壁 挂接 两级 种晶 室内 | ||
1.一种晶圆传输系统,其特征在于,包括:
传输平台;
至少两级相互连接的传输腔室,均依次设置在所述传输平台上,各级所述传输腔室内均安装有第一传输机械手,并且,各级所述传输腔室的外侧壁均挂接有多个工艺腔室;
至少一个第一开关结构,其位于相邻两个传输腔室之间,以使得该相邻两个传输腔室选择性地连通;
多个第二开关结构,位于所述传输平台内部,且每个所述第二开关结构均对应一个所述工艺腔室,以使得该工艺腔室与其所对应的传输腔室选择性地连通。
2.根据权利要求1所述的晶圆传输系统,其特征在于,还包括:
至少一个连通腔室,位于相邻的两个传输腔室之间,所述连通腔室的两端分别与该相邻的两个传输腔室连接;并且,
所述连通腔室与该相邻的两个传输腔室相连接的位置处均设置有所述第一开关结构,以使得所述连通腔室与该相邻的两个传输腔室选择性地连通。
3.根据权利要求2所述的晶圆传输系统,其特征在于,所述第一开关结构和所述第二开关结构均包括开关阀。
4.根据权利要求3所述的晶圆传输系统,其特征在于,所述第一开关结构的开关阀与所述第二开关结构的开关阀型号相同。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆传输系统,其特征在于,还包括:
前端腔室,其内安装有第二传输机械手;
装载腔室,位于所述前端腔室和第一级传输腔室之间,所述装载腔室的两端分别与所述前端腔室和所述第一级传输腔室连接;并且,
所述装载腔室与所述前端腔室、所述第一级传输腔室相连接的位置处均设置有所述第一开关结构,以使得所述装载腔室与所述前端腔室、所述第一级传输腔室选择性地连通。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆传输系统,其特征在于,包括两级传输腔室,分别为第一级传输腔室和第二级传输腔室;
所述第一级传输腔室和所述第二级传输腔室均为真空传输腔室,所述第一传输机械手为真空机械手;
所述第一级传输腔室的外侧壁的横截面与所述第二级传输腔室的外侧壁的横截面均呈多边形结构;
所述多边形结构的各边上均挂接有所述工艺腔室。
7.根据权利要求6所述的晶圆传输系统,其特征在于,
所述第一级传输腔室的外侧壁的横截面呈四边形结构;
所述第二级传输腔室的外侧壁的横截面呈六边形结构。
8.根据权利要求5所述的晶圆传输系统,其特征在于,还包括:
至少一个装载台,安装在所述传输平台上;所述装载台上放置有用于容纳晶片的晶片盒;
所述装载台与所述前端腔室连通。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的晶圆传输系统,其特征在于,还包括:
控制模块,其与各所述第一开关结构的控制端、各所述第二开关结构的控制端均电连接,以控制所述第一开关结构和所述第二开关结构的开关状态。
10.一种半导体处理设备,其特征在于,包括权利要求1至9中任意一项所述的晶圆传输系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造