[实用新型]旋转晶圆设备

说明书

本实用新型提供一种旋转晶圆设备，控制晶圆的蚀刻速率均匀性，包含有：蚀刻槽；至少两个导管，位于所述刻蚀槽内，所述导管内部传输蚀刻液，所述导管上设有复数个与所述导管内部相连通的喷孔，以使得所述刻蚀液经由所述喷孔喷出；至少两个滚轮轴，位于两个所述导管的中间，且所述滚轮轴轴径平行位于所述蚀刻槽底侧；轴承，与所述滚轮轴的两端分别连接；以及至少一个马达，所述马达经由传动带连接所述轴承。在喷孔喷出蚀刻液同时旋转该晶圆，使所述晶圆面内刻蚀非均匀度降低。

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆设备，尤其涉及一种控制晶圆的蚀刻速率均匀性的旋转晶圆设备。

背景技术

蚀刻速率是测量物质从晶圆表面被移除的速率，其中Δd为蚀刻厚度变化埃t为蚀刻时间，例如每分钟(min)。此外，蚀刻非均匀性(Non-uniformity,NU)可由下列方程式计算，所称蚀刻的非均匀性NU(％)＝(E_max-E_min)/(2E_ave)×100％。其中E_max为量测最大蚀刻速率，E_min为量测最小蚀刻速率，E_ave为平均蚀刻速率。蚀刻非均匀性(Non-uniformity,NU) 的值越小，代表晶圆表面任一点的蚀刻速率越接近平均蚀刻速率。

在现有技术中，使用蚀刻槽来容置整批复数个晶圆，晶圆固定于蚀刻槽内。蚀刻液体是利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，蚀刻液体在晶圆上不均匀的分布，会产生整批复数个晶圆的非均匀性较大，间接造成非均匀性的不良。特别是针对微机电(MEMS)的麦克风产品的集成电路，生产出的整批晶圆，良率以及品质无法控制在同一标准值内。

因此，为解决现有技术的问题，有必要提出一种新的控制晶圆的蚀刻速率均匀性的旋转晶圆设备。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种旋转晶圆设备，控制晶圆的蚀刻速率均匀性，所述旋转晶圆设备包含有：蚀刻槽；至少两个导管，所述导管位于所述刻蚀槽内，所述导管内部传输蚀刻液，所述导管上设有复数个与所述导管内部相连通的喷孔，以使得所述刻蚀液经由所述喷孔喷出；至少两个滚轮轴，所述两滚轮轴位于所述导管的中间，且所述滚轮轴平行位于所述蚀刻槽底侧；轴承，与所述滚轮轴的两端分别连接；以及至少一个马达，所述马达经由传动带连接所述轴承。

在一实施例中，所述旋转晶圆设备还具有：复数个所述喷孔沿所述导管的轴向均匀分布，所述喷孔朝向与所述导管轴向相垂直。

在一实施例中，所述滚轮轴上设有至少一个卡槽，所述卡槽自所述滚轮轴外侧向所述滚轮轴内延伸的方向与所述滚轮轴的轴向相垂直，所述卡槽沿所述滚轮轴的轴向均匀分布。

在一实施例中，所述旋转晶圆设备还具有：凹槽，所述凹槽位于所述蚀刻槽底侧，所述滚轮轴位于所述凹槽内，且所述导管位于所述凹槽两侧的所述刻蚀槽底部。

在一实施例中，所述旋转晶圆设备还具有：至少一个泵，所述泵连接所述导管与刻蚀液源，所述泵开启时向所述导管内输送所述刻蚀液。

在一实施例中，所述旋转晶圆设备还包括第一控制器，与所述泵相连接，所述第一控制器控制所述泵的开启或关闭。

在一实施例中，所述旋转晶圆设备还具有：马达传感器，侦测并传送控制讯号，控制所述马达关闭或开启。

在一实施例中，所述旋转晶圆设备还包括第二控制器，与所述马达传感器相连接，所述第二控制器经由所述马达传感器控制所述马达的开启或关闭。

本实用新型提供一种旋转晶圆设备，使用所述马达开启，来传动所述晶圆，同时将泵开启，使所述喷孔喷出的所述蚀刻液，因为在所述晶圆旋转状况下，所述蚀刻液会较混合充分，达到均匀分布于晶圆表面的目的，晶圆表面的任一点的蚀刻速率会接近平均蚀刻速率，因此，本实用新型的泵开启、晶圆旋转下结构，能具体提供晶圆非均匀性NU(％)的较小值，并进一步提高晶圆生产的品质和良率。