[实用新型]载台表面清洁装置

说明书

本实用新型提供一种载台表面清洁装置，该装置包括晶圆载台、化学机械研磨头及研磨头移动件，研磨头移动件的连接端包括旋转盘，化学机械研磨头在旋转盘的带动下高速旋转，化学机械研磨头上设有化学清洁剂喷出管道和化学清洁剂回收管道，化学清洁剂喷出管道的导出口位于化学机械研磨头研磨面的中央，化学清洁剂回收管道的吸入口位于化学机械研磨头研磨面的周边，化学清洁剂喷出管道和化学清洁剂回收管道贯穿化学机械研磨头。本实用新型避免了污染物对晶圆平坦度的影响，改善曝光时晶圆平坦化效果，避免光刻后图形失焦及层迭对准表现不佳，增加了产品良率。

技术领域

本实用新型涉及半导体光刻工艺应用，特别涉及光刻曝光设备组件装置构造，具体为一种载台表面清洁装置。

背景技术

20世纪，多层金属化技术被引入到集成电路制程中，该多层金属化技术使得芯片的垂直空间得以有效的被利用，因此提高了芯片上电子元件的集成度，然而当曝光机的晶圆载台上有杂质产生时，晶圆载台上的杂质使得晶圆的表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题，如：引起光阻厚度不均，进而导致光微影受限，从而会导致晶圆产生失焦现象，严重影响了大规模集成电路的发展，此时机器必须立刻停止生产，对晶圆载台上的杂质进行清除。

专利号为CN105652604A的中国专利提供一种曝光机及其操作方法，所述曝光机用于对晶圆进行曝光，包括：检测装置，检测晶圆上的异物；清洁装置，用于清洁异物，并包括能够运动的清洗头；控制系统，被配置为：接收检测装置检测到的异物的大小和位置信息；根据异物的大小控制清洗头运动到异物的位置以执行晶圆的清洁；在清除异物后，控制检测装置对晶圆进行重新扫描，并控制曝光机对检测合格的晶圆进行曝光，该曝光机结构复杂不方便实施。

专利号为CN101192010A的中国专利提供一种曝光机载片台表面的清洁方法，包括：获得载片台表面微粒缺陷的位置信息，根据所述位置信息，移动所述载片台，使得所述微粒缺陷位于气体喷口和排气口下方；通过所述气体喷口向所述载片台表面喷出气体，并通过所述排气口将所述气体排出，该方法效率较低难以大规模推广。

针对上述的问题，业界先后开发了多种清洁晶圆载台表面的技术，然而这些技术效果并不理想。将化学机械研磨技术应用于晶圆载台表面的清洁，得到的表面平坦化效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。

化学机械研磨技术是晶圆载台表面全部平坦化技术中的一种，其可以认为是化学增强型机械抛光，在这个过程中晶圆载台表面的杂质和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。而平面化后的晶圆载台表面使得干式蚀刻中的图样的成型更加容易，且平滑的晶圆载台表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。

然而，目前化学机械研磨技术却有以下缺点：化学机械研磨技术是在预定的时间中，持续对晶圆载台进行研磨以去除杂质，促使晶圆载台表面平坦化，平坦化的过程中，晶圆载台的表面可能会被过度研磨；或研磨程度不够，晶圆载台表面上仍然被杂质包覆，不仅需要花费更多的时间，且使得晶圆载台无法进行下一道制程，为了改善现有清洁方法缺陷，必须寻找新的晶圆载台清洁设备和方法。

实用新型内容

为了解决现有技术的不足，改善曝光机晶圆载台清洁效果，本实用新型的目的在于提供一种载台表面清洁装置，以解决现有晶圆载台清洁方法浪费时间及清洁不足的问题。

本实用新型提供一种载台表面清洁装置，用于光刻胶曝光制程的前段整修，包括：

晶圆载台，具有一承载面，用于承载待处理的晶圆；

设置于所述晶圆载台上方的化学机械研磨头，所述化学机械研磨头具有一朝下的研磨面与所述晶圆载台的承载面相对，用于移除所述承载面上的污染物，并且所述研磨面的面积小于所述晶圆载台的所述承载面的面积；

研磨头移动件，位于所述晶圆载台的上方并连接所述化学机械研磨头，所述研磨头移动件的连接端包括旋转盘，用于带动所述化学机械研磨头进行旋转；