[实用新型]氮化硅沉积炉管

说明书

本实用新型属于半导体存储器组件领域，具体为一种氮化硅沉积炉管，该氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上。本实用新型通过改进现有氮化硅沉积炉管硬件设施，避免了晶舟载台金属物质与腐蚀气体产生化学反应产生黑色微尘颗粒，进而避免了因微尘颗粒导致晶圆产品缺陷的产生，提高了产品良率。

技术领域

本实用新型属于半导体存储器组件领域，具体为一种氮化硅沉积炉管。

背景技术

由于LPCVD(Low-pressure CVD)低压化学气相沉积法氮化硅沉积炉管在日常沉积薄膜时会沉积一部分氮化硅在晶舟和内外石英管等零件上。随着处理货的批次数越来越多，残留在零件上的薄膜会越来越多，会很容易脱落到晶圆上从而产生微尘(particle)。所以机台微尘的量会随着处理货批次数的增加而增加，并且发现在定量批次后，微尘量再也不会有低点。一般情况下，LPCVD氮化硅沉积炉管在处理到定量批次后会进行周期自动去膜维护(AUTO CLN)。自动去膜维护是通过通入氟气等腐蚀性气体对残留在零件上的薄膜进行腐蚀，从而使残留的薄膜从零件上大量脱落并通过震荡等步骤送入厂务端。机台经过自动去膜维护后微尘量会降低，但随着周期自动去膜维护后机台处理货的批次数逐渐增加，微尘量会再次增加(如图1)，所以机台周期自动去膜维护会伴随着机台处理货而一直实施。

现阶段LPCVD氮化硅沉积炉管在做日常自动去膜(Auto CLN)维护时会用到大量的氟气，而氟气会腐蚀机台零部件的金属部分，产生大量黑色微尘(如图2、4、5)，气体会将微尘带到晶圆上，对这种附着微尘的晶圆进行下一步工艺处理时，由于微尘的存在，使光罩在布线时，导致抗蚀剂层(Resist)倒下而产生块蚀刻使元件失效(如图3)，进而影响产品良率。

中国发明专利一种降低双大马士革氮化硅工艺颗粒的处理方法(授权公告号CN102446833B)公开了用NF₃气体清洁反应腔室，随后再在反应腔室中通入N₂O气体，用等离子条件下的N₂O气体除去反应腔室中所残余的氢(H)和氟(F)，达到降低DDN工艺颗粒的效果。而对于怎么优化氮化硅沉积炉管自动去膜工艺中产生的微尘颗粒，目前现有技术没有很好的方法。

实用新型内容

为了解决现有技术的不足，减少微尘对晶圆的影响，本实用新型提供一种氮化硅沉积炉管。

为实现上述技术目的，本实用新型采取的具体的技术方案为，一种氮化硅沉积炉管，包括外石英管和内石英管，所述内石英管设置于所述外石英管内部，所述内石英管内部还设置有晶舟，所述晶舟下方设有晶舟载台，所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫，所述载盘遮护垫的直径大于所述晶舟载台的直径且大于所述内石英管的内径，所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部，所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配，所述环形遮护部的外径小于所述外石英管的内径，所述环形遮护部顶部为空的，所述晶舟底端设有底座套环，所述底座套环套于所述晶舟载台上，所述外石英管设有底部进气口及排气口。

作为本实用新型改进的技术方案，所述进气口设于所述外石英管的一面，并且所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离小于所述环形遮护部顶部距离氮化硅沉积炉管底部的距离。

作为本实用新型改进的技术方案，所述排气口设于所述外石英管在相对应于所述进气口的另一面，所述排气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离大于所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离。

作为本实用新型改进的技术方案，所述载盘遮护垫的直径介于470～490mm。

作为本实用新型改进的技术方案，所述环形遮护部的高度介于90～110mm。