[实用新型]氮化硅沉积炉管有效
申请号: | 201820598426.5 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN208517524U | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/34 | 分类号: | C23C16/34;C23C16/458 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 何金花 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶舟 石英管 氮化硅沉积 炉管 载台 遮护 本实用新型 环形遮护部 微尘颗粒 底座套 半导体存储器 化学反应 边缘设置 产品良率 腐蚀气体 金属物质 晶圆产品 硬件设施 底端 环套 载盘 匹配 改进 | ||
1.一种氮化硅沉积炉管,包括外石英管和内石英管,所述内石英管设置于所述外石英管内部,所述内石英管内部还设置有晶舟,所述晶舟下方设有晶舟载台,其特征在于,所述晶舟载台的下方设有载盘遮护垫,所述载盘遮护垫的直径大于所述晶舟载台的直径且大于所述内石英管的内径,所述载盘遮护垫边缘设置有环形遮护部,所述环形遮护部的外径与所述载盘遮护垫的直径为对应匹配,所述环形遮护部的外径小于所述外石英管的内径,所述环形遮护部顶部为空的,所述晶舟底端设有底座套环,所述底座套环套于所述晶舟载台上,所述外石英管设有底部进气口及排气口。
2.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管,其特征在于,所述进气口设于所述外石英管的一面,并且所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离小于所述环形遮护部顶部距离氮化硅沉积炉管底部的距离。
3.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管,其特征在于,所述排气口设于所述外石英管在相对应于所述进气口的另一面,所述排气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离大于所述进气口距离氮化硅沉积炉管底部的距离。
4.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管,其特征在于,所述载盘遮护垫的直径介于470~490mm。
5.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管,其特征在于,所述环形遮护部的高度介于90~110mm。
6.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管,其特征在于,所述晶舟载台的直径介于290~310mm,所述晶舟载台的高度介于25~35mm。
7.根据权利要求1所述的氮化硅沉积炉管,其特征在于,所述底座套环的内径介于310~330mm,所述底座套环的高度与所述晶舟载台的高度对应匹配。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的