[实用新型]一种RENA制绒设备多出口式均匀排液装置有效
申请号: | 201820594807.6 | 申请日: | 2018-04-25 |
公开(公告)号: | CN207993831U | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 张忠文;谢毅;周丹;谢泰宏;张冠纶 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/0236;C30B33/10 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制绒槽 通水管 搅拌叶 转轴 本实用新型 挡板 排液装置 制绒设备 出水口 多出口 排液 拨动 活动连接有 混合效果 活动连接 间隔均匀 内腔中部 内侧壁 制绒机 制绒液 水管 开通 | ||
本实用新型公开了一种RENA制绒设备多出口式均匀排液装置,包括制绒槽,所述制绒槽内腔中部设置有转轴,所述转轴上固定有搅拌叶,所述搅拌叶远离转轴一端固定有拨动块;所述制绒槽内设置有若干通水管,所述通水管固定于制绒槽内侧壁上,所述通水管与制绒槽连接处开设有出水口,所述通水管远离出水口一端活动连接有挡板;所述挡板与拨动块活动连接。本实用新型通过搅拌叶对制绒槽内部液体进行搅拌的同时,还可以间隔均匀的打开通水管,实现排液,而且多个通水管的设置,使得排液效果更加均匀,降低对制绒机内部制绒液的混合效果的影响,十分值得推广。
技术领域
本实用新型涉及硅片制绒技术领域,具体为一种RENA制绒设备多出口式均匀排液装置。
背景技术
硅片在切割过程中会在表面形成大约10μm厚的损伤层,这一层与硅片基体的性质不同,会严重影响太阳能电池的性能。清洗工序制绒工艺就是利用硅片的这一层损伤层,通过硝酸对其氧化制绒,形成高低不平的表面,大大增加电池片表面的受光面积,减少反射,从而提高太阳能电池的转换效率。在多晶制绒时,需要控制硅片的减薄量,尤其是需要控制硅片整面膜的减薄均匀性。
目前RENA制绒机台存在设计上的缺陷,制绒槽的进液方式存在缺陷,进液集中在整个槽体的一端,导致制绒机台道与道之间腐蚀程度存在差异,最终导致每道之间减重差异较大,且液体循环均匀性较差,得到的绒面均匀性、稳定性差,进而导致镀膜岗位的返工片和色差片等不良片的比率大大增加。
为了解决上述缺陷,现有技术中,申请号为“201420221775.7”的一种改进的多晶制绒RENA机,其改进了制绒机的进液方式,使得进液方式变更为更为均匀的进液方式,产生了更为均匀的腐蚀液混合效果,降低制绒机各道之间的减重差异,最终提高企业利润。
虽然进液方式得到了改善,变得更加均匀,但是进液和排液都是需要制绒机需要考虑的问题,当进液方式变得均匀后,其出液方式扔采用制绒槽侧壁上开设的溢流口进行排液,使得排液时,只会将靠近溢流口处的制绒液进行排出,也就无法保证排液时的排液均匀性,从而也会影响制绒机内部的制绒液的混合效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种RENA制绒设备多出口式均匀排液装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种RENA制绒设备多出口式均匀排液装置,包括制绒槽,所述制绒槽内腔中部设置有转轴,所述转轴上固定有搅拌叶,所述搅拌叶远离转轴一端固定有拨动块;
所述制绒槽内设置有若干通水管,所述通水管固定于制绒槽内侧壁上,所述通水管与制绒槽连接处开设有出水口,所述通水管远离出水口一端活动连接有挡板;
所述挡板与拨动块活动连接。
优选的,所述通水管对称的固定于制绒槽的四个内侧壁上。
优选的,所述挡板活动插设于挡板孔中,所述挡板孔中设置有复位弹簧,所述复位弹簧连接于挡板上,所述挡板孔开设于安装块中,且所述安装块固定于制绒槽侧壁上。
优选的,所述安装块上开设有限位孔,所述限位孔中活动插设有限位杆,所述限位杆固定有连杆,所述连杆远离限位杆一端固定于挡板上,所述限位孔内设置有辅助弹簧,所述辅助弹簧连接于限位杆上。
优选的,所述通水管中固定有液流盘,所述液流盘中开设有通孔。
优选的,所述转轴固定于电机上,所述电机固定于横杆上,所述横杆两端通过固定杆固定于制绒槽侧壁上。
优选的,所述搅拌叶中开设有通水孔,所述通水孔一侧侧壁开设有吸水孔,所述拨动块中对应通水孔开设有出液孔。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造