[实用新型]位线连接结构及存储器有效

专利信息
申请号: 201820576010.3 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN208225879U 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 位线 接触垫 偶数行 奇数行 接触区域 本实用新型 连接结构 存储器 导接 基底 方向延伸 相邻位线 短路 平行
【说明书】:

实用新型提供了一种位线连接结构及存储器,包括:基底;多条奇数行位线和偶数行位线,分离且平行排列地位于基底上,奇数行位线和偶数行位线相互平行且沿第一方向延伸;在第一方向的一侧,奇数行位线相对突出于偶数行位线以形成有第一接触区域;在第一方向的另一侧,偶数行位线相对突出于奇数行位线以形成有第二接触区域;第一接触垫和第二接触垫,第一接触垫设置于第一接触区域上,第二接触垫设置于第二接触区域上,使第一接触垫与奇数行位线相导接,第二接触垫与偶数行位线相导接。本实用新型在第一接触垫之间或第二接触垫之间均未设置位线,从而可以适当增大接触垫的尺寸而不会造成接触垫与相邻位线的短路。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种位线连接结构及存储器。

背景技术

存储器中通常包括电容器及晶体管,其中,所述电容器用以存储数据,所述晶体管用以控制对所述电容器中存储的数据的存取。具体的,所述存储器的字线(word line)电连接至所述晶体管的栅极,所述字线控制所述晶体管的开关;并且,所述晶体管的源极电连接至位线(bit line),以形成电流传输通路;同时,所述晶体管的漏极电连接至所述电容器,以达到数据存储或输出的目的。

现有技术中,一般在位线上制作接触垫来实现位线与外部电路的连接,多条位线中,同一端每间隔一条位线制作一个接触垫,该端没有接触垫的位线其接触垫对称的分布在另一端。这种制作方式在制作接触垫时,需要严格控制接触垫的尺寸,接触垫尺寸过大会导致其接触到相邻的位线而造成短路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种位线连接结构及存储器,在接触垫的尺寸适当增大的情况下能够避免连接到相邻的位线造成短路。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种位线连接结构,包括:

基底;

多条奇数行位线和偶数行位线,分离且平行排列地位于所述基底上,所述奇数行位线和所述偶数行位线相互平行且沿第一方向延伸;在所述第一方向的一侧,所述奇数行位线相对突出于所述偶数行位线以形成有第一接触区域,在所述第一方向的另一侧,所述偶数行位线相对突出于所述奇数行位线以形成有第二接触区域;以及,

第一接触垫和第二接触垫,所述第一接触垫设置于所述奇数行位线在所述第一接触区域中的突出端上,所述第二接触垫设置于所述偶数行位线在所述第二接触区域中的突出端上,使所述第一接触垫与所述奇数行位线相导接,所述第二接触垫与所述偶数行位线相导接。

可选的,所述第一接触区域和所述第二接触区域在所述第一方向上的尺寸均介于2nm~200nm之间。

可选的,所述第一接触垫和所述第二接触区域在所述第一方向上的尺寸均介于30nm~80nm之间,所述第一接触垫和所述第二接触区域在第二方向上的尺寸均介于20nm~60nm之间,所述第二方向与所述第一方向相垂直。

可选的,所述奇数行位线与所述偶数行位线均包括依次位于所述基底上的介质层、第一导电层与第二导电层。

可选的,所述介质层的材质包括氮化硅或氧化硅,所述第一导电层的材质包括钛、氮化硅、硅化钨中的一种或多种,所述第二导电层的材质包括钨。

可选的,所述奇数行位线与所述偶数行位线均呈直线形。

可选的,所述奇数行位线与所述偶数行位线均呈波浪形。

本实用新型还提供一种存储器,包括:

基板;

多条奇数行位线和偶数行位线,分离且平行排列地位于所述基板上,所述奇数行位线和所述偶数行位线相互平行且沿第一方向延伸;在所述第一方向的一侧,所述奇数行位线相对突出于所述偶数行位线以形成有第一接触区域,在所述延伸方向的另一侧,所述偶数行位线相对突出于所述奇数行位线以形成有第二接触区域;以及,

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