[实用新型]位线连接结构及存储器有效

专利信息
申请号: 201820576010.3 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN208225879U 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 位线 接触垫 偶数行 奇数行 接触区域 本实用新型 连接结构 存储器 导接 基底 方向延伸 相邻位线 短路 平行
【权利要求书】:

1.一种位线连接结构,其特征在于,包括:

基底;

多条奇数行位线和偶数行位线,分离且平行排列地位于所述基底上,所述奇数行位线和所述偶数行位线相互平行且沿第一方向延伸;在所述第一方向的一侧,所述奇数行位线相对突出于所述偶数行位线以形成有第一接触区域;在所述第一方向的另一侧,所述偶数行位线相对突出于所述奇数行位线以形成有第二接触区域;以及,

第一接触垫和第二接触垫,所述第一接触垫设置于所述奇数行位线在所述第一接触区域中的突出端上,所述第二接触垫设置于所述偶数行位线在所述第二接触区域中的突出端上,使所述第一接触垫与所述奇数行位线相导接,所述第二接触垫与所述偶数行位线相导接。

2.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述第一接触区域和所述第二接触区域在所述第一方向上的尺寸均介于2nm~200nm之间。

3.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述第一接触垫和所述第二接触垫在所述第一方向上的尺寸均介于30nm~80nm之间,所述第一接触垫和所述第二接触垫在第二方向上的尺寸均介于20nm~60nm之间,所述第二方向与所述第一方向相垂直。

4.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述奇数行位线与所述偶数行位线均包括依次位于所述基底上的介质层、第一导电层与第二导电层。

5.如权利要求4所述的位线连接结构,其特征在于,所述介质层的材质包括氮化硅或氧化硅,所述第一导电层的材质包括钛、氮化硅、硅化钨中的一种或多种,所述第二导电层的材质包括钨。

6.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述奇数行位线与所述偶数行位线均呈直线形。

7.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述奇数行位线与所述偶数行位线均呈波浪形。

8.一种存储器,其特征在于,包括:

基板;

多条奇数行位线和偶数行位线,分离且平行排列地位于所述基板上,所述奇数行位线和所述偶数行位线相互平行且沿第一方向延伸;在所述第一方向的一侧,所述奇数行位线相对突出于所述偶数行位线以形成有第一接触区域,在所述第一方向的另一侧,所述偶数行位线相对突出于所述奇数行位线以形成有第二接触区域;以及,

第一接触垫和第二接触垫,所述第一接触垫设置于所述奇数行位线在所述第一接触区域中的突出端上,所述第二接触垫设置于所述偶数行位线在所述第二接触区域中的突出端上,使所述第一接触垫与所述奇数行位线相导接,所述第二接触垫与所述偶数行位线相导接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820576010.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top