[实用新型]位线连接结构及存储器有效
申请号: | 201820576010.3 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN208225879U | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 位线 接触垫 偶数行 奇数行 接触区域 本实用新型 连接结构 存储器 导接 基底 方向延伸 相邻位线 短路 平行 | ||
1.一种位线连接结构,其特征在于,包括:
基底;
多条奇数行位线和偶数行位线,分离且平行排列地位于所述基底上,所述奇数行位线和所述偶数行位线相互平行且沿第一方向延伸;在所述第一方向的一侧,所述奇数行位线相对突出于所述偶数行位线以形成有第一接触区域;在所述第一方向的另一侧,所述偶数行位线相对突出于所述奇数行位线以形成有第二接触区域;以及,
第一接触垫和第二接触垫,所述第一接触垫设置于所述奇数行位线在所述第一接触区域中的突出端上,所述第二接触垫设置于所述偶数行位线在所述第二接触区域中的突出端上,使所述第一接触垫与所述奇数行位线相导接,所述第二接触垫与所述偶数行位线相导接。
2.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述第一接触区域和所述第二接触区域在所述第一方向上的尺寸均介于2nm~200nm之间。
3.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述第一接触垫和所述第二接触垫在所述第一方向上的尺寸均介于30nm~80nm之间,所述第一接触垫和所述第二接触垫在第二方向上的尺寸均介于20nm~60nm之间,所述第二方向与所述第一方向相垂直。
4.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述奇数行位线与所述偶数行位线均包括依次位于所述基底上的介质层、第一导电层与第二导电层。
5.如权利要求4所述的位线连接结构,其特征在于,所述介质层的材质包括氮化硅或氧化硅,所述第一导电层的材质包括钛、氮化硅、硅化钨中的一种或多种,所述第二导电层的材质包括钨。
6.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述奇数行位线与所述偶数行位线均呈直线形。
7.如权利要求1所述的位线连接结构,其特征在于,所述奇数行位线与所述偶数行位线均呈波浪形。
8.一种存储器,其特征在于,包括:
基板;
多条奇数行位线和偶数行位线,分离且平行排列地位于所述基板上,所述奇数行位线和所述偶数行位线相互平行且沿第一方向延伸;在所述第一方向的一侧,所述奇数行位线相对突出于所述偶数行位线以形成有第一接触区域,在所述第一方向的另一侧,所述偶数行位线相对突出于所述奇数行位线以形成有第二接触区域;以及,
第一接触垫和第二接触垫,所述第一接触垫设置于所述奇数行位线在所述第一接触区域中的突出端上,所述第二接触垫设置于所述偶数行位线在所述第二接触区域中的突出端上,使所述第一接触垫与所述奇数行位线相导接,所述第二接触垫与所述偶数行位线相导接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的