[实用新型]带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器

说明书

本实用新型公开了带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器，包括boost芯片IC1及与boost芯片IC1相连接的外围电路，所述外围电路包括限流电路、输出整流电路、开关管电路、反馈电路、补偿电路、软启动电路、输入电路及输出电路，输入电路与限流电路和boost芯片IC1相连接，限流电路、输出整流电路、开关管电路通过boost芯片IC1的SW脚共接，boost芯片IC1的COMP脚通过补偿电路接地，输出整流电路的输出侧与地之间连接反馈电路和输出电路，反馈电路与boost芯片IC1的FB脚相连接，boost芯片IC1的SS脚通过软启动电路接地。

技术领域

本实用新型涉及电源变换器技术领域，具体的说，是带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器。

背景技术

如今，便携式电子设备已广泛应用于生活，工业等诸多领域，大部分便携式电子设备都采用电池供电，其中某些设备需要远高于电池电压的供电电压，因此升压型变换器拥有广阔的技术前景。

目前，虽然一些升压型变换器具备软启动功能以防止输出电压产生过冲，频率补偿功能提升环路稳定性，但其软启动时间均为内部设置，不利于用户自行调节。此外一般升压型变换器通过内部补偿环路提高稳定性，难以实现多种条件下对环路的动态设置。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器，使用户可自定义软启动时间实现可调节的浪涌电流限制以及在多种条件下进行环路动态设置以实现较高的瞬态响应，此外输入隔离功能保证本实用新型即使出现短暂的输入电流过大依然不至于立即切断电源输入，从而提供一种高稳定性、高可靠性的电源管理方案。

本实用新型通过下述技术方案实现：带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器，包括boost芯片IC1及与boost芯片IC1相连接的外围电路，所述外围电路包括限流电路、输出整流电路、开关管电路、反馈电路、补偿电路、软启动电路、输入电路及输出电路，输入电路与限流电路和boost芯片IC1相连接，限流电路、输出整流电路、开关管电路通过boost芯片IC1的SW脚共接，boost芯片IC1的COMP脚通过补偿电路接地，输出整流电路的输出侧与地之间连接反馈电路和输出电路，反馈电路与boost芯片IC1的FB脚相连接，boost芯片IC1的SS脚通过软启动电路接地。

进一步的为更好地实现本实用新型，特别采用下述设置结构：所述限流电路包括电阻R1、场效应管VT1、及电感L1，输入电路包括连接在boost芯片IC1的IN脚与地之间的输入电容C1，boost芯片IC1的IN脚通过电阻R1连接场效应管VT1的漏极，且电阻R1与boost芯片IC1的IN脚共接端与地之间构成升压型变换器的输入端，场效应管VT1的栅极连接boost芯片的CLDR脚，场效应管VT1的源极通过电感L1连接boost芯片IC1的SW脚，在场效应管VT1的源极和漏极之间还连接有二极管D1。优选的二极管D1的正极与场效应管VT1的源极相连接，场效应管VT1采用N沟道MOS场效应管，且场效应管VT1的衬底与源极相连接。

进一步的为更好地实现本实用新型，特别采用下述设置结构：所述输出整流电路包括场效应管VT2及二极管D2，二极管D2并联在场效应管VT2的漏极与源极上，场效应管VT2的源极与boost芯片IC1的SW脚相连接，boost芯片IC1的SDR脚与场效应管VT2的栅极相连接，场效应管VT2的漏极与地之间连接输出电路且构成所述升压型变换器的输出端。优选的场效应管VT2采用N沟道MOS场效应管，且二极管D2的正极连接场效应管VT2的源极，场效应管VT2的衬底与源极相连接，所述输出电路采用电容C6构成。