[实用新型]带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器有效

专利信息
申请号: 201820556515.3 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN207994931U 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 林浩;张成凤;王鑫 申请(专利权)人: 成都矽芯科技有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/36;H02M1/32
代理公司: 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 代理人: 廖曾
地址: 610000 四川省成都市中国(四川)自*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 芯片 输出整流电路 反馈电路 限流电路 升压型变换器 开关管电路 软启动电路 补偿电路 输出电路 输入电路 输入隔离 外围电路 接地 可编程 软启动 本实用新型 共接 输出
【权利要求书】:

1.带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:包括boost芯片IC1及与boost芯片IC1相连接的外围电路,所述外围电路包括限流电路、输出整流电路、开关管电路、反馈电路、补偿电路、软启动电路、输入电路及输出电路,输入电路与限流电路和boost芯片IC1相连接,限流电路、输出整流电路、开关管电路通过boost芯片IC1的SW脚共接,boost芯片IC1的COMP脚通过补偿电路接地,输出整流电路的输出侧与地之间连接反馈电路和输出电路,反馈电路与boost芯片IC1的FB脚相连接,boost芯片IC1的SS脚通过软启动电路接地。

2.根据权利要求1所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:所述限流电路包括电阻R1、场效应管VT1、及电感L1,输入电路包括连接在boost芯片IC1的IN脚与地之间的输入电容C1,boost芯片IC1的IN脚通过电阻R1连接场效应管VT1的漏极,且电阻R1与boost芯片IC1的IN脚共接端与地之间构成升压型变换器的输入端,场效应管VT1的栅极连接boost芯片的CLDR脚,场效应管VT1的源极通过电感L1连接boost芯片IC1的SW脚,在场效应管VT1的源极和漏极之间还连接有二极管D1。

3.根据权利要求1所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:所述输出整流电路包括场效应管VT2及二极管D2,二极管D2并联在场效应管VT2的漏极与源极上,场效应管VT2的源极与boost芯片IC1的SW脚相连接,boost芯片IC1的SDR脚与场效应管VT2的栅极相连接,场效应管VT2的漏极与地之间连接输出电路且构成所述升压型变换器的输出端。

4.根据权利要求1所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:所述开关管电路包括场效应管VT3、二极管D3及电阻R3,所述boost芯片IC1的SW脚连接场效应管VT3的漏极,场效应管VT3的源极通过电阻R3接地,且场效应管VT3的源极还与boost芯片IC1的CST脚相连接,场效应管VT3的栅极与boost芯片IC1的NG脚相连接,二极管D3并联在场效应管VT3的漏极与源极之间。

5.根据权利要求1所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:所述反馈电路包括相互串联的电阻R4和电阻R5,且相互串联的电阻R4和电阻R5的共接端连接boost芯片IC1的FB脚,反馈电路的一端与boost芯片IC1的OUT脚相连接。

6.根据权利要求1所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:所述补偿电路为RC串联电路。

7.根据权利要求1~6任一项所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:在所述boost芯片IC1的SW脚与BST脚之间还设置有电容C4。

8.根据权利要求1~6任一项所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:在所述boost芯片IC1的VDD脚与地之间还连接有电容C2。

9.根据权利要求1~6任一项所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:所述软启动电路为连接在boost芯片IC1的SS脚与地之间软启动电容C3。

10.根据权利要求1~6任一项所述的带输入隔离的可编程软启动及片外补偿的升压型变换器,其特征在于:所述boost芯片IC1采用ZCC9428A。

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