[实用新型]高效率同步整流boost芯片有效
申请号: | 201820556430.5 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN207994930U | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 林浩;张成凤;王鑫 | 申请(专利权)人: | 成都矽芯科技有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 成都其高专利代理事务所(特殊普通合伙) 51244 | 代理人: | 廖曾 |
地址: | 610000 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 逻辑模块 驱动模块 高效率 功率管 电流检测放大器 控制逻辑模块 内部电源模块 误差比较器 斜波发生器 升压 反馈电压 同步整流 限流开关 芯片本体 电荷泵 振荡器 使能 芯片 本实用新型 升压变换器 电流模式 固定频率 内部设置 | ||
本实用新型公开了高效率同步整流boost芯片,包括boost芯片本体,在boost芯片本体的内部设置有内部使能模块、振荡器及斜波发生器、升压调节模块、功率管驱动模块、限流开关控制逻辑模块、PWM控制逻辑模块、电流检测放大器、反馈电压误差比较器及电荷泵,内部使能模块通过内部电源模块与限流开关控制逻辑模块相连接,电荷泵连接内部电源模块,电流检测放大器与PWM控制逻辑模块相连接,振荡器及斜波发生器与PWM控制逻辑模块相连接,功率管驱动模块与PWM控制逻辑模块相连接,反馈电压误差比较器与PWM控制逻辑模块相连接,功率管驱动模块与升压调节模块相连接;具有600kHz固定频率、高效率、宽输入范围,采用电流模式的升压变换器。
技术领域
本实用新型涉及同步整流boost芯片技术领域,具体的说,是高效率同步整流boost芯片。
背景技术
随着电子设备的轻,薄,小的发展趋势,要求产品的体积更小,耗能更低。因此高效率成为开关电源发展的必然趋势。随着供电电源电压的降低,传统的二极管整流引起整流管上产生导通压降,限制了DC-DC boost转换器的转换效率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供高效率同步整流boost芯片,具有600kHz固定频率、高效率、宽输入范围,电流模式的升压变换器,具有输入隔离以及浪涌电流限制可调功能,可应用于需要负载短路保护以防止电源总线烧断或者损坏的系统。
本实用新型通过下述技术方案实现:高效率同步整流boost芯片,包括boost芯片本体,在boost芯片本体的内部设置有内部使能模块、振荡器及斜波发生器、升压调节模块、功率管驱动模块、限流开关控制逻辑模块、PWM控制逻辑模块、电流检测放大器、反馈电压误差比较器及电荷泵,内部使能模块通过内部电源模块与限流开关控制逻辑模块相连接,电荷泵连接内部电源模块,电流检测放大器与PWM控制逻辑模块相连接,振荡器及斜波发生器与PWM控制逻辑模块相连接,功率管驱动模块与PWM控制逻辑模块相连接,所述反馈电压误差比较器与PWM控制逻辑模块相连接,所述功率管驱动模块与升压调节模块相连接。
进一步的为更好地实现本实用新型,特别采用下述设置结构:在所述内部使能模块上形成boost芯片的EN引脚,所述内部使能模块与内部电源模块相连接的端形成boost芯片的IN引脚,限流开关控制逻辑模块还形成boost芯片的SENSE引脚和CLDR引脚,电流检测放大器的输出端通过加法器连接接入比较器的同相输入端,比较器的输出端与PWM控制逻辑模块相连接,反馈电压误差比较器的输出端连接比较器的反相输入端,反馈电压误差比较器的输出端形成boost芯片的COMP引脚,在电流检测放大器的同相输入端与反相输入端之间连接电阻,且电流检测放大器的同相输入端形成boost芯片的CST引脚,电流检测放大器的反相输入端形成boost芯片的AGND引脚。
优选的,振荡器及斜波发生器中的振荡器为PWM控制逻辑模块提供时钟、通过PWM控制逻辑模块内部产生的使能信号控制振荡器及斜波发生器中的斜波发生器产生斜波,所生成的斜波输入到加法器中与电流检测放大器所输出的信号相混合,而后输送至比较器的同相输入端内,反馈电压误差比较器输出端接入比较器反相输入端,两者在比较器内进行比较,输出端连接PWM控制逻辑模块。
进一步的为更好地实现本实用新型,特别采用下述设置结构:所述PWM控制逻辑模块控制连接振荡器及斜波发生器,且振荡器及斜波发生器输出端连接加法器。
进一步的为更好地实现本实用新型,特别采用下述设置结构:所述反馈电压误差比较器的反相输入端形成boost芯片的FB引脚,且反馈电压误差比较器的同相输入端上接入1.225v直流电压,反馈电压误差比较器的输出端连接NMOS管的漏极,NMOS管的栅极形成boost芯片的SS引脚,在NMOS管的栅极上还连接有5μA的电流源,NMOS管的源极接地。
进一步的为更好地实现本实用新型,特别采用下述设置结构:所述稳压二极管的负极为boost芯片的BST引脚。
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