[实用新型]高效率同步整流boost芯片

权利要求书

1.高效率同步整流boost芯片，其特征在于：包括boost芯片本体，在boost芯片本体的内部设置有内部使能模块(1)、振荡器及斜波发生器(2)、升压调节模块(3)、功率管驱动模块(4)、限流开关控制逻辑模块(5)、PWM控制逻辑模块(6)、电流检测放大器(7)、反馈电压误差比较器(8)及电荷泵(9)，内部使能模块(1)通过内部电源模块与限流开关控制逻辑模块(5)相连接，电荷泵(9)连接内部电源模块，电流检测放大器(7)与PWM控制逻辑模块(6)相连接，振荡器及斜波发生器(2)与PWM控制逻辑模块(6)相连接，功率管驱动模块(4)与PWM控制逻辑模块(6)相连接，所述反馈电压误差比较器(8)与PWM控制逻辑模块(6)相连接，所述功率管驱动模块(4)与升压调节模块(3)相连接。

2.根据权利要求1所述的高效率同步整流boost芯片，其特征在于：在所述内部使能模块(1)上形成boost芯片的EN引脚，所述内部使能模块(1)与内部电源模块相连接的端形成boost芯片的IN引脚，限流开关控制逻辑模块(5)还形成boost芯片的SENSE引脚和CLDR引脚，电流检测放大器(7)的输出端通过加法器连接接入比较器的同相输入端，比较器的输出端与PWM控制逻辑模块(6)相连接，反馈电压误差比较器(8)的输出端连接比较器的反相输入端，反馈电压误差比较器(8)的输出端引出boost芯片的COMP引脚，在电流检测放大器(7)的同相输入端与反相输入端之间连接电阻，且电流检测放大器(7)的同相输入端形成boost芯片的CST引脚，电流检测放大器(7)的反相输入端形成boost芯片的AGND引脚。

3.根据权利要求2所述的高效率同步整流boost芯片，其特征在于：所述PWM控制逻辑模块(6)连接振荡器及斜波发生器(2)，且振荡器及斜波发生器(2)输出端连接加法器。

4.根据权利要求2或3所述的高效率同步整流boost芯片，其特征在于：所述反馈电压误差比较器(8)的反相输入端形成boost芯片的FB引脚，且反馈电压误差比较器(8)的同相输入端上接入1.225v直流电压，反馈电压误差比较器(8)的输出端连接NMOS管的漏极，NMOS管的栅极形成boost芯片的SS引脚，在NMOS管的栅极上还连接有5μA的电流源，NMOS管的源极接地。

5.根据权利要求4所述的高效率同步整流boost芯片，其特征在于：所述升压调节模块(3)由boost芯片的OUT引脚提供输入，升压调节模块(3)通过稳压二极管连接功率管驱动模块(4)，且功率管驱动模块(4)与稳压二极管连接端形成boost芯片的BST引脚，功率管驱动模块(4)还形成boost芯片的SDR引脚和SW引脚，PWM控制逻辑模块(6)控制功率管驱动模块(4)。

6.根据权利要求5所述的高效率同步整流boost芯片，其特征在于：所述稳压二极管的负极为boost芯片的BST引脚。

7.根据权利要求1或2或3或5或6所述的高效率同步整流boost芯片，其特征在于：所述PWM控制逻辑模块(6)通过驱动器形成boost芯片的NG引脚。

8.根据权利要求1或2或3或6所述的高效率同步整流boost芯片，其特征在于：所述升压调节模块(3)由boost芯片的OUT引脚提供输入，升压调节模块(3)通过稳压二极管连接功率管驱动模块(4)，且功率管驱动模块(4)与稳压二极管连接端形成boost芯片的BST引脚，功率管驱动模块(4)还形成boost芯片的SDR引脚和SW引脚，PWM控制逻辑模块(6)控制功率管驱动模块(4)。