[实用新型]形成体及发光模块有效
| 申请号： | 201820536495.3 | 申请日： | 2018-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN208157450U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张文凱;陈书伟;郭家彰;黄国维 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导线架 发光模块 发光晶片 顶表面 反射框 隔离件 形成体 基板 围壁 开口 电性隔离 电性连接 横向延伸 亮度降低 抗硫化 银层 毗邻 暴露 污染 | ||
1.一种发光模块，其特征在于，包括：
一基板，包含一第一导线架、一第二导线架及一隔离件，该隔离件配置于该第一导线架与该第二导线架之间以电性隔离该第一导线架和该第二导线架，其中该第一导线架具有一第一沟槽，该第二导线架具有一第二沟槽；
一反射框体，设置于该第一导线架和该第二导线架之上，该反射框体包括：
一第一底部，嵌置于该第一沟槽和该第二沟槽中，且具有一开口暴露出该隔离件、该第一导线架的一部分以及该第二导线架的一部分；
一第二底部，由该第一底部向外横向延伸出，并围绕该第一底部，其中该第二底部的一顶表面高于该第一底部的一顶表面；以及
一围壁，毗邻该第二底部的一外侧，并向上延伸至超过该第二底部的该顶表面，且该围壁围绕该第二底部；以及
一发光晶片，设置于该开口上方并电性连接该第一导线架和该第二导线架。
2.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，该第一沟槽具有10微米至30微米的一第一深度，且该第二沟槽具有10微米至30微米的一第二深度。
3.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，该第一底部的该顶表面高于该第一导线架的一顶表面10微米至30微米，且该第一底部的该顶表面高于该第二导线架的一顶表面10微米至30微米。
4.如权利要求3所述的发光模块，其特征在于，该隔离件的一顶表面高于该第一导线架的该顶表面及该第二导线架的该顶表面10微米至30微米。
5.如权利要求4所述的发光模块，其特征在于，该第一导线架的该顶表面、该第一底部的一侧壁及该隔离件的一侧壁形成一第一凹槽，且该第二导线架的该顶表面、该第一底部的另一侧壁及该隔离件的另一侧壁形成一第二凹槽。
6.如权利要求5所述的发光模块，其特征在于，还包括一导电粘结层，设置于该第一凹槽和该第二凹槽中，且位于该发光晶片与该第一导线架和该第二导线架之间。
7.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，该第二底部与该第一底部之间的一交界面的俯视轮廓为一矩形。
8.一种形成体，其特征在于，包括：
一基板，包含一第一导线架、一第二导线架及一隔离件，该隔离件配置于该第一导线架与该第二导线架之间以电性隔离该第一导线架和该第二导线架，其中该第一导线架具有一第一沟槽，该第二导线架具有一第二沟槽；以及
一反射框体，设置于该第一导线架和该第二导线架之上，该反射框体包括：
一第一底部，嵌置于该第一沟槽和该第二沟槽中，且具有一开口暴露出该隔离件、该第一导线架的一部分以及该第二导线架的一部分；
一第二底部，由该第一底部向外横向延伸出，并围绕该第一底部，其中该第二底部的一顶表面高于该第一底部的一顶表面；以及
一围壁，毗邻该第二底部的一外侧，并向上延伸至超过该第二底部的该顶表面，且该围壁围绕该第二底部。
9.如权利要求8所述的形成体，其特征在于，该第一沟槽具有10微米至30微米的一第一深度，且该第二沟槽具有10微米至30微米的一第二深度。
10.如权利要求8所述的形成体，其特征在于，该第一底部的该顶表面高于该第一导线架的一顶表面10微米至30微米，且该第一底部的该顶表面高于该第二导线架的一顶表面10微米至30微米。
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