[实用新型]形成体及发光模块有效
| 申请号: | 201820536495.3 | 申请日: | 2018-04-16 |
| 公开(公告)号: | CN208157450U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
| 发明(设计)人: | 张文凱;陈书伟;郭家彰;黄国维 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导线架 发光模块 发光晶片 顶表面 反射框 隔离件 形成体 基板 围壁 开口 电性隔离 电性连接 横向延伸 亮度降低 抗硫化 银层 毗邻 暴露 污染 | ||
一种形成体及发光模块。发光模块包括基板、反射框体、以及发光晶片。基板包含具有第一沟槽的第一导线架、具有第二沟槽的第二导线架及用以电性隔离第一导线架和第二导线架的隔离件。反射框体设置于第一导线架和第二导线架之上,且包括第一底部、第二底部、以及围壁。第一底部嵌置于第一沟槽和第二沟槽中,且具有暴露出隔离件、第一导线架的一部分以及第二导线架的一部分的开口。第二底部由第一底部向外横向延伸出,且第二底部的顶表面高于第一底部的顶表面。围壁毗邻第二底部的外侧。发光晶片设置于开口上方并电性连接第一导线架和第二导线架。本发光模块在抗硫化能力上大幅提升,且可避免银层被污染而造成亮度降低的问题。
技术领域
本实用新型是关于一种用于发光二极管封装结构的一形成体,以及关于一种发光二极管封装结构。
背景技术
在传统的发光二极管封装结构中,发光晶片是设置于导线架上。而为了增加出光效率,通常会在导线架上形成一银层以增加反射率。然而,银层容易与穿透封装胶的硫进行反应而形成黑色的硫化银,称为“黑化现象”。
如此一来,传统的发光二极管封装结构经长时间使用后,“黑化现象”将使得其反射率下降,从而造成发光二极管封装结构亮度降低。
由此可见,上述现有的方式,显然仍存在不便与缺陷,而有待改进。为了解决上述问题,相关领域莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
实用新型内容
本实用新型的一态样是提供一种发光模块,包括一基板、一反射框体、以及一发光晶片。基板包含一第一导线架、一第二导线架及一隔离件。隔离件配置于第一导线架与第二导线架之间以电性隔离第一导线架和第二导线架。其中,第一导线架具有一第一沟槽,第二导线架具有一第二沟槽。反射框体设置于第一导线架和第二导线架之上。反射框体包括一第一底部、一第二底部、以及一围壁。第一底部嵌置于第一沟槽和第二沟槽中,且具有一开口暴露出隔离件、第一导线架的一部分以及第二导线架的一部分。第二底部由第一底部向外横向延伸出,并围绕第一底部,其中第二底部的一顶表面高于第一底部的一顶表面。围壁毗邻第二底部的一外侧,并向上延伸至超过第二底部的顶表面,且围壁围绕第二底部。发光晶片设置于开口上方并电性连接第一导线架和第二导线架。
在本实用新型某些实施方式中,第一沟槽具有10微米至30微米的一第一深度,且第二沟槽具有10微米至30微米的一第二深度。
在本实用新型某些实施方式中,第一底部的顶表面高于第一导线架的一顶表面10微米至30微米,且第一底部的顶表面高于第二导线架的一顶表面10微米至30微米。
在本实用新型某些实施方式中,隔离件的一顶表面高于第一导线架的顶表面及第二导线架的顶表面10微米至30微米。
在本实用新型某些实施方式中,第一导线架的顶表面、第一底部的一侧壁及隔离件的一侧壁形成一第一凹槽,且第二导线架的顶表面、第一底部的另一侧壁及隔离件的另一侧壁形成一第二凹槽。
在本实用新型某些实施方式中,发光模块还包括一导电粘结层,设置于第一凹槽和第二凹槽中,且位于发光晶片与第一导线架和第二导线架之间。
在本实用新型某些实施方式中,第二底部与第一底部之间的一交界面的俯视轮廓为一矩形。
本实用新型的另一态样是提供一种形成体,包括一基板和一反射框体。基板包含一第一导线架、一第二导线架及一隔离件。隔离件配置于第一导线架与第二导线架之间以电性隔离第一导线架和第二导线架。其中,第一导线架具有一第一沟槽,第二导线架具有一第二沟槽。反射框体设置于第一导线架和第二导线架之上。反射框体包括一第一底部、一第二底部、以及一围壁。第一底部嵌置于第一沟槽和第二沟槽中,且具有一开口暴露出隔离件、第一导线架的一部分以及第二导线架的一部分。第二底部由第一底部向外横向延伸出,并围绕第一底部,其中第二底部的一顶表面高于第一底部的一顶表面。围壁毗邻第二底部的一外侧,并向上延伸至超过第二底部的顶表面,且围壁围绕第二底部。
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