[实用新型]LED芯片

说明书

本实用新型揭示了一种LED芯片，包括衬底、位于衬底上的LED外延结构以及位于LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，LED芯片还包括电流阻挡层，电流阻挡层包括位于P电极区域及P电极之间的第一电流阻挡层及位于N电极区域及N电极之间的第二电流阻挡层。本实用新型的N电极区域及N电极之间具有第二电流阻挡层，改善了电流分布，提高了LED芯片的亮度。

技术领域

本实用新型涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明。

参图1所示为现有技术中LED芯片制造方法的工艺步骤图，具体制造方法如下：

1、首先通过MOCVD在衬底上外延生长LED外延结构10’，LED外延结构10’从衬底向上至少包括N型GaN外延层、多量子阱发光层、以及P型GaN外延层；

2、参图1a所示，芯片MESA制作，刻蚀出N电极区域20’，从LED外延结构10’的上表面刻蚀至N型GaN层；

3、参图1b所示，在LED外延结构10’的P电极区域上制作电流阻挡层30’；

4、参图1c所示，然后在部分LED外延结构10’及电流阻挡层30’上制作透明导电层40’；

5、参图1d所示，在电流阻挡层30’上方的透明导电层40’上制作P电极50’，在N电极区域20’上方制作N电极60’，P电极50’通过透明导电层40’和P型GaN层电性连接，N电极60’直接与N电极区域下方的N型GaN层电性连接。

6、参图1e所示，最后通过PECVD在LED外延结构10’上整面覆盖一层钝化层80’，并通过湿法刻蚀(BOE溶液)或者干法刻蚀(等离子体刻蚀)工艺把分别对应P电极50’及N电极60’的第一电极焊盘81’及第二电极焊盘82’露出来，钝化层80’为二氧化硅。

这里，电流阻挡层30’的作用是阻挡P电极50’直接和P型GaN层接触，从而改善发光均匀性，提高芯片的亮度，但是，现有技术中只改善了P电极50’与P型GaN层之间的接触，却并没有改善N电极60’与N型GaN层之间的接触。

有鉴于此，为了解决上述技术问题，有必要提供一种高亮度高可靠性的LED芯片。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种LED芯片。

为实现上述实用新型目的之一，本实用新型一实施方式提供一种LED芯片，包括衬底、位于所述衬底上的LED外延结构以及位于所述LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，所述LED芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层包括位于所述P电极区域及所述P电极之间的第一电流阻挡层及位于所述N电极区域及所述N电极之间的第二电流阻挡层。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述N电极包括N电极主体部及自N电极主体部向外延伸的N电极延伸部，所述第二电流阻挡层包括对应所述N电极延伸部设置的若干相互分离的延伸阻挡部。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述第二电流阻挡层还包括覆盖所述N电极主体部的主体阻挡部。

作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述LED芯片还包括至少环绕所述N电极设置的屏障部。