[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201820486401.6 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN207977341U | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李庆;刘佳擎;张振 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流阻挡层 本实用新型 衬底 电流分布 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，包括衬底、位于所述衬底上的LED外延结构以及位于所述LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，其特征在于，所述LED芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层包括位于所述P电极区域及所述P电极之间的第一电流阻挡层及位于所述N电极区域及所述N电极之间的第二电流阻挡层。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极包括N电极主体部及自N电极主体部向外延伸的N电极延伸部，所述第二电流阻挡层包括对应所述N电极延伸部设置的若干相互分离的延伸阻挡部。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电流阻挡层还包括覆盖所述N电极主体部的主体阻挡部。
4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括至少环绕所述N电极设置的屏障部。
5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述屏障部包括环绕所述N电极主体部的第一屏障部及环绕所述N电极延伸部的第二屏障部，所述第一屏障部与所述N电极主体部之间的第一间隙大于所述第二屏障部与所述N电极延伸部之间的第二间隙。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述第一电流阻挡层及所述P电极之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于聚灿光电科技（宿迁）有限公司，未经聚灿光电科技（宿迁）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820486401.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半片电池片翻面装置
- 下一篇：新型LED蓝宝石衬底
