[实用新型]一种可抑制磁饱和的电路及应用其的开关电源

说明书

本实用新型涉及一种可抑制磁饱和的电路及应用其的开关电源。其中可抑制磁饱和的电路由晶体管Q1~Q3、放大器A1，低压供电模块、振荡器OSC、电阻R1~R2依电性连接而成。本实用新型能够通过电路中对变压器原边峰值电流反馈脚位的补偿，有效地抑制开关电源系统占空比超过50%情况下重载输出的磁饱和现象，增加了开关电源系统的稳定性，保障了用户用电设备的安全性，具有较好的使用价值。

技术领域

本实用新型属于电力电子领域，具体涉及一种可抑制磁饱和的电路及应用其的开关电源。

背景技术

电源作为所有电子产品的供电设备，需要满足在全球所有国家均能正常使用，由于全球线电压供电系统的标准不统一，因此线电压输入范围为85~264VAC，而开关电源系统对于如此宽输入范围常常导致按通用标准设计（最大脉宽占空比50%）的开关电源系统在低输入电压时进入调制脉宽占空比大于50%的工作，这种情况下极易导致变压器磁饱和输出不稳定，因此，需要新技术能够抑制此种情况下的磁饱和发生，保障开关电源系统全电压范围内全负载范围内的稳定性，这样才能很好的保护下游用电设备的安全。

传统开关电源转换器如图1所述，图1描绘了一种基于传统的脉宽调制技术的电源转换器100。通过将变压器TR1的辅助线圈中的电压分压后进行采样至电源转换器100的FB端口来产生脉冲宽度变化的方波信号（Vsw）控制功率晶体管（M1）的开启和关闭，通过过流比较器产生过流信号关断M1。由于开关电源系统电源输入范围比较宽，最高电压值是最低电压的三倍，因此，一个设计为最大脉宽占空比小于50%的开关电源系统，在最低输入电压重载工作时，常会进入到脉宽占空比大于50%的模式下工作，每个周期内的变压器储能很难释放掉，极易出现磁饱和导致系统震荡，极大地影响了用电设备的安全性。

所以有必要采取特殊技术抑制开关电源系统在低线电压输入重载条件下的磁饱和发生，保障开关电源系统输出的稳定性，使得被供电设备使用的安全性得到有效保障。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种可抑制磁饱和的电路及应用其的开关电源，有效地让系统在最低线输入电压重载情况下也能避免发生磁饱和而震荡，保障开关电源系统输出的稳定性，保障了用户用电设备的安全性，具有较好的使用价值。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案是：一种可抑制磁饱和的电路，其包括晶体管Q1~Q3、电阻器R1~R2、放大器A1、用于提供内部供电电源VDD及内部参考电压Vref1的低压供电模块、振荡器OSC以及四个端口；四个端口包括第一端SENSE，第二端CS1，第三端CLK，第四端VCC、所述的晶体管Q1的第一端分别接所述晶体管Q2的第三端、晶体管Q3的第三端、晶体管Q3的第二端；晶体管Q1的第二端分别接放大器A1的负输入端、电阻R1的第一端；晶体管Q1的第三端接放大器A1的输出端；所述的晶体管Q2的第一端接所述低压供电模块的第二端；晶体管Q2的第二端分别接低压供电模块的第三端、电阻R2的第一端、第二端CS1；所述的晶体管Q3的第一端接所述低压供电模块的第二端；所述电阻R1的第二端接地；所述的电阻R2的第二端接第一端SENSE；所述的放大器A1的正输入端接所述振荡器OSC的第三端；所述的振荡器OSC的第一端接所述低压供电模块第二端；振荡器OSC的第二端接第三端CLK； 所述的低压供电模块的第一端接可抑制磁饱和的电路的第四端VCC。

进一步的，晶体管Q1为NPN晶体管或NMOS晶体管，NPN晶体管的第一端为集电极、第二端为发射极，第三端为基极，NMOS晶体管的第一端为漏极、第二端为源极，第三端为栅极；晶体管Q2、Q3均为PNP晶体管或者PMOS晶体管，PNP晶体管的第一端为发射极、第二端为集电极，第三端为基极，PMOS晶体管的第一端为源极、第二端为漏极，第三端为栅极。