[实用新型]一种可抑制磁饱和的电路及应用其的开关电源

权利要求书

1.一种可抑制磁饱和的电路，其特征在于： 包括晶体管Q1~Q3、电阻器R1~R2、放大器A1、用于提供内部供电电源VDD及内部参考电压Vref1的低压供电模块、振荡器OSC以及四个端口；

四个端口包括第一端SENSE，第二端CS1，第三端CLK，第四端VCC、

所述的晶体管Q1的第一端分别接所述晶体管Q2的第三端、晶体管Q3的第三端、晶体管Q3的第二端；晶体管Q1的第二端分别接放大器A1的负输入端、电阻R1的第一端；晶体管Q1的第三端接放大器A1的输出端；

所述的晶体管Q2的第一端接所述低压供电模块的第二端；晶体管Q2的第二端分别接低压供电模块的第三端、电阻R2的第一端、第二端CS1；

所述的晶体管Q3的第一端接所述低压供电模块的第二端；

所述电阻R1的第二端接地；

所述的电阻R2的第二端接可抑制磁饱和的电路的第一端SENSE；

所述的放大器A1的正输入端接所述振荡器OSC的第三端；

所述的振荡器OSC的第一端接所述低压供电模块第二端；振荡器OSC的第二端接可抑制磁饱和的电路的第三端CLK；

所述的低压供电模块的第一端接可抑制磁饱和的电路的第四端VCC。

2.根据权利要求1所述的可抑制磁饱和的电路，其特征在于：晶体管Q1为NPN晶体管或者NMOS晶体管，NPN晶体管的第一端为集电极，第二端为发射极，第三端为基极，NMOS晶体管的第一端为漏极，第二端为源极，第三端为栅极；晶体管Q2、Q3均为PNP晶体管或者PMOS晶体管，PNP晶体管的第一端发射极，第二端为集电极，第三端为基极，PMOS晶体管的第一端为源极，第二端为漏极，第三端为栅极。

3.一种应用权利要求1所述的可抑制磁饱和的电路的开关电源，其特征在于：包括变压器和一用于产生一开关信号调节所述变压器的脉冲宽度的开关电源控制器及一功率开关管M1；

所述开关电源控制器耦接一设于变压器输出端的回授单元；

所述的功率开关管第一端接变压器输入端，功率开关管的第二端接开关电源控制器和限流电阻Rs，功率开关管的第三端接开关电源控制器；

所述开关电源控制器包括欠压锁定电路、可抑制磁饱和的电路、脉宽调制器及驱动电路；所述驱动电路分别接欠压锁定电路、可抑制磁饱和的电路、脉宽调制器和功率开关管M1；可抑制磁饱和的电路分别接脉宽调制器和限流电阻Rs及功率开关管M1。

4.根据权利要求3所述的开关电源，其特征在于：驱动电路的第一端接所述脉宽调制器的第四端PWM，驱动电路的第二端接电源VCC，驱动电路的第三端接所述功率管M1的第三端；

所述脉宽调制器的第一端FB接所述回授单元的回授端，脉宽调制器的第二端接所述可抑制磁饱和的电路的第二端CS1；脉宽调制器的第三端接所述可抑制磁饱和的电路的第三端CLK；

所述可抑制磁饱和的电路的第四端VCC接电源VCC，可抑制磁饱和的电路的第一端SENSE分别接一外部采样电阻Rs的第一端、功率开关管M1的第二端；

所述欠压锁定电路第一端接电源VCC；

所述功率开关管M1的第一端接变压器的原边线圈；

所述采样电阻Rs的第二端接地。

5.根据权利要求3或4所述的开关电源，其特征在于：所述的功率开关管M1为功率晶体管，功率开关管M1的第一端为漏极，第二端为源极，第三端为栅极。

6.根据权利要求3所述的开关电源，其特征在于：所述欠压锁定电路、可抑制磁饱和的电路、脉宽调制器、驱动电路内嵌于一集成电路中。

7.一种应用权利要求1所述的可抑制磁饱和的电路的开关电源，其特征在于：所述开关电源为次级侧反馈式开关电源或初级侧反馈式开关电源。