[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中，该发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，形成于所述第一半导体层之上；第二电极，形成于所述第二半导体层之上；其特征在于：所述第一电极、第二电极下方分别设有第一绝缘层、第二绝缘层，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

技术领域

本实用新型涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管。

背景技术

由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。

早期的氮化镓LED芯片制作工艺通常由台面蚀刻（MESA）、制作透明导电层（如ITO）、制作电极和制作保护层四道工艺组成，其形成的发光二极管芯片如图1所示，其一般包括衬底101、N型层111、发光层112、P型层113、透明导电层120、P电极141(焊盘143和扩展部144)、N电极142和保护层130。在氮化镓LED中，P-GaN层由于其载流子迁移率较低，通常会在电极（PAD）底部造成一定的电流拥堵。因此，现在通常会在P型电极的底部增加电流阻挡层150，用于抑制电流的过注入，增加透明导电层的电流扩散，如图2所示。该芯片制作工艺通常至少包括：台面蚀刻（MESA）、制作电流阻挡层、制作电流扩展层（例如ITO）、制作电极和制作保护层五道工艺。

实用新型内容

本实用新型提供了一种发光二极管，其在第一、第二电极的焊盘部/扩展部下方设置不同厚度的绝缘层，有效提高发光二极管的出光效率及可靠性。

根据本发明的第一个方面，发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；其特征在于：所述第一电极、第二电极下方分别设有第一绝缘层、第二绝缘层，其特征在于所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

根据本发明的第二个方面，发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；其特征在于：所述第一电极包括第一焊盘部和第一扩展部，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部，所述第一焊盘部、第二焊盘部的下方分别设有第一绝缘层、第二绝缘层，其特征在于所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

优选地，所述第一绝缘层包括至少第一子绝缘层和第二子绝缘层。

优选地，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层之上，且所述第二子绝缘层包裹所述第一子绝缘层的侧壁。

优选地，所述第一绝缘层与所述第一半导体层之间设有透明导电层。

优选地，所述第一绝缘层包裹所述透明导电层的侧壁。

优选地，位于所述第一电极下方的第一绝缘层设有至少一通孔结构，用于所述第一电极与所述透明导电层实现电连接。

优选地，位于所述第二电极下方的第二绝缘层设有至少一通孔结构，用于所述第二电极与所述第二半导体层实现电连接。

优选地，所述第一扩展部与所述第一半导体层之间设有第三绝缘层，所述第二扩展部与所述第二半导体层之间设有第四绝缘层。

优选地，所述第三绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

优选地，所述第四绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。

优选地，所述第一电极的第一扩展部的上表面呈高、低起伏状，所述第二电极的第二扩展部的上表面呈高、低起伏状。