[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201820469094.0 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN208093585U | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王锋;王庆;陈征;洪灵愿;许圣贤;林素慧;彭康伟;张家宏 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 半导体层 发光二极管 第二电极 第一电极 本实用新型 发光外延层 发光层 | ||
1.发光二极管，包括：
发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
第一电极，形成于所述第一半导体层之上；
第二电极，形成于所述第二半导体层之上；
其特征在于：所述第一电极、第二电极下方分别设有第一绝缘层、第二绝缘层，所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
2.发光二极管，包括：
发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
第一电极，形成于所述第一半导体层之上；
第二电极，形成于所述第二半导体层之上；
其特征在于：所述第一电极包括第一焊盘部和第一扩展部，所述第二电极包括第二焊盘部和第二扩展部，所述第一焊盘部、第二焊盘部的下方分别设有第一绝缘层、第二绝缘层，其特征在于所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层包括至少第一子绝缘层和第二子绝缘层。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层之上，且所述第二子绝缘层包裹所述第一子绝缘层的侧壁。
5.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层与所述第一半导体层之间设有透明导电层。
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：所述第一绝缘层包裹所述透明导电层的侧壁。
7.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于：位于所述第一电极下方的第一绝缘层设有至少一通孔结构，用于所述第一电极与所述透明导电层实现电连接。
8.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于：位于所述第二电极下方的第二绝缘层设有至少一通孔结构，用于所述第二电极与所述第二半导体层实现电连接。
9.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一扩展部与所述第一半导体层之间设有第三绝缘层，所述第二扩展部与所述第二半导体层之间设有第四绝缘层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第三绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于：所述第四绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
12.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的第一扩展部的上表面呈高、低起伏状，所述第二电极的第二扩展部的上表面呈高、低起伏状。
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