[实用新型]一种带陷光结构的光伏组件

说明书

本实用新型公开了一种带陷光结构的光伏组件，所述光伏组件包括光伏板，所述光伏板包括带有陷光结构的玻璃层、第一胶膜层、光面晶体硅电池片，玻璃层、第一胶膜层、光面晶体硅电池片从上往下依次层叠在一起；光面晶体硅电池片包括上表面为平面的晶体硅电池基体、设置在该晶体硅电池基体上表面的减反膜，以及设置在减反膜上并透过减反膜与晶体硅电池基体形成欧姆接触的电极。本实用新型可明显提高晶体硅电池对太阳光的吸收能力，可减少晶体硅电池表面缺陷，减少复合，提高少子寿命，增强光生伏特效应，从而获得高效光电转换效率，且制造成本低。

技术领域

本实用新型涉及一种光伏组件，特别是涉及一种带陷光结构的光伏组件。

背景技术

太阳能电池是利用半导体材料光生伏特效应来工作的器件，能够将太阳光的能量直接转化为电能。晶体硅电池以其性价比高的优势在光伏市场一直占据主流地位。工业上规模化生产晶硅太阳能电池的重点方向是降低电池生产成本和提高电池效率。提高晶体硅电池光电转换效率，关键在于如何实现对太阳光的高效吸收和增强光生伏特效应。绒面晶体硅电池可提高吸光率，但绒面结构不可避免会削弱其光生伏特效应。当然光面晶体硅电池的光生伏特效应会高于绒面晶体硅电池，但太阳光直接照射在光面晶体硅电池的表面会有30％反射损失，因此在提高电池效率方面，减少电池受光面对光的反射，增强电池光生伏特效应是提高电池效率的有效手段之一。增加电池对光吸收的方法主要有三种：一是在电池表面覆盖减反射膜，减少光的反射；二是在电池表面生长宽带隙的异质层，增加对光的光谱响应范围；三是在电池表面直接制备各种绒面，制造陷光效果，减少光的反射损失。

在晶体硅表面蒸镀减反射膜(厚0.01～0.3μm)，减反射膜通过光波的干涉原理,当膜层的光学厚度是某一波长的四分之一，相邻两束光的光程差恰好为π,即振动方向相反，叠加的结果使光学表面对该波长的反射光减少，使晶体硅电池的反射损失减少。由于太阳光的波长范围较大，采用单层减反膜很难达到理想的减反效果，为实现较宽光谱的减反效果，只能采用多层减反射膜，为了保证其厚度的均匀性，会导致其加工难度大，使得加工成本高。而且单纯减反膜陷光效果不如陷光结构与减反膜二者相结合的陷光效果，如申请号或专利号为201120566236.3、201110004888.2、201010272066.8、201110173943.0和201110438900.0的中国专利申请或中国专利公开的技术方案。当硅片与陷光膜相结合时，由于硅片属于脆硬材料，直接将陷光膜热压印至硅片表面，容易造成硅片破裂，降低成品率，如专利号为201310144561.4的中国专利公开的技术方案。

在电池表面生长宽带隙的异质结，通过与晶体硅禁带宽度不同的材料构成异质结太阳能电池，可拓宽对太阳光的吸收谱，从而实现宽谱带吸收目的，有效地增加了不能被硅材料吸收波段太阳光，提高了硅基太阳能电池的转换效率。而且减小了原料硅的消耗，与同质结相比，异质结具有更大的内建电场，使注入结两侧的非平衡少子电流增加，从而增加开路电压和短路电流。然而，由于异质结的引入带来的晶体硅电池的性能稳定性、工艺兼容性问题，进一步的工艺改进和新材料、新结构的设计以及薄膜硅电池的异质结界面问题仍有待解决。

为了更充分地利用太阳光，降低电池受光面对光的反射率，人们研究出了很多新型制绒方法，如反应离子刻蚀法、光刻法、机械刻槽法等，但却存在容易产生损伤层、生产成本高昂等问题。目前主要采用化学制绒技术获取绒面晶体硅电池，该绒面晶体硅电池表面为不规则的陷光结构，可增加太阳光的折射吸收次数，以减少其表面的反射损失(目前单晶硅的反射损失大于8％，多晶硅的反射损失大于12％)；而且制绒工艺会导致晶体硅高温扩散不一致、晶格位错缺陷、接触电阻增大等不利因素的凸显，从而削弱晶体硅电池的光生伏特效应，限制了晶体硅电池光电转换效率的进一步提高，如申请号为201210061306.9的中国专利申请公开的技术方案。

综上所述，在现有的工艺条件下，如何实用新型一种有效的光陷阱结构，并结合光面的晶硅电池高光电转换效率的优点，变得具有十分重大的意义。

实用新型内容