[实用新型]一种带陷光结构的光伏组件有效

申请号：	201820466114.9	申请日：	2018-03-30
公开（公告）号：	CN208111457U	公开（公告）日：	2018-11-16
发明（设计）人：	徐西鹏;许志龙	申请（专利权）人：	华侨大学
主分类号：	H01L31/048	分类号：	H01L31/048;H01L31/054;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司：	厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204	代理人：	张松亭;叶碎银
地址：	362000 福建省***	国省代码：	福建;35
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摘要：
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【权利要求书】：

1.一种带陷光结构的光伏组件，包括光伏板，其特征在于：所述光伏板包括带有陷光结构的玻璃层、第一胶膜层、光面晶体硅电池片，玻璃层、第一胶膜层、光面晶体硅电池片从上往下依次层叠在一起；光面晶体硅电池片包括上表面为平面的晶体硅电池基体、设置在该晶体硅电池基体上表面的减反膜，以及设置在减反膜上并透过减反膜与晶体硅电池基体形成欧姆接触的电极。

2.根据权利要求1所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述玻璃层包括钢化玻璃、上表面设置有所述陷光结构的透光薄膜，透光薄膜设置在钢化玻璃上表面。

3.根据权利要求2所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述透光薄膜的折射率小于或等于钢化玻璃的折射率，所述钢化玻璃的折射率小于或等于所述第一胶膜层的折射率。

4.根据权利要求1所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述减反膜的数量为至少两层，该至少两层减反膜层叠在所述晶体硅电池基体上表面，所述电极设置在顶层减反膜上，并透过各层减反膜与晶体硅电池基体形成欧姆接触。

5.根据权利要求4所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述减反膜的数量为两层，底层减反膜的折射率n₁为：

顶层减反膜的折射率为n₂为：

其中，n₀为所述晶体硅电池基体的折射率，n₃为所述第一胶膜层的折射率。

6.根据权利要求1所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述光伏板还包括第二胶膜层、保护膜，所述晶体硅电池基体、第二胶膜层、保护膜从上往下依次层叠在一起。

7.根据权利要求6所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述保护膜为TPT膜。

8.根据权利要求6所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述第一胶膜层、第二胶膜层均为EVA材质。

9.根据权利要求1或6所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：还包括边框，所述光伏板封装在该边框中。

10.根据权利要求1所述的带陷光结构的光伏组件，其特征在于：所述陷光结构的尺寸为微米级。

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