[实用新型]一种大功率125K射频激活电路

权利要求书

1.一种大功率125K射频激活电路，其特征在于：包括依次电连接的升压电路、第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路及LC谐振电路；

所述第一级放大电路包括第七三极管，所述第七三极管的基极依次串联第一百零一电阻及方波信号输入端，所述第七三极管的集电极其中一路依次串联有第九十三电阻及所述升压电路的输出端，所述第七三极管的集电极另外一路串联有第二级放大电路的输出端，所述第七三极管的发射极依次串联第一二极管组件及接地端，所述第七三极管的发射极与接地端之间并联有第八十六电容。

2.根据权利要求1所述的大功率125K射频激活电路，其特征在于：所述第一二极管组件包括依次串联的第七二极管及第八二极管，所述第七二极管的正极及负极分别与第七三极管的发射极串联及第八二极管的正极串联，所述第八二极管的负极与接地端串联。

3.根据权利要求1所述的大功率125K射频激活电路，其特征在于：所述升压电路包括升压芯片及与升压芯片电连接的继电器模块，升压电路的输入端与升压芯片上的电源电压输入引脚连接，升压芯片上的接地引脚与接地端连接，升压电路的输入端与接地端连接有第六十五电容及第六十六电容，第六十五电容与第六十六电容互相并联，升压芯片上的第一电源开关输出引脚及第二电源开关输出引脚连接，所述电源电压输入引脚通过第九环形电感与第一电源开关输出引脚连接，所述第一电源开关输出引脚还通过第十四二极管与升压电路的输出端连接，第十四二极管及升压电路的输出端连接之间并联有第六十三电容、第六十二电容的一端，第六十三电容及第六十二电容的另一端均与接地端连接，升压芯片上的反馈引脚通过第一百电阻与接地端连接，所述反馈引脚分别并联有可调第三可调电阻及第四可调电阻，可调第三可调电阻及第四可调电阻的另一端分别与继电器模块并联，升压电路的输出端还与继电器模块连接。

4.根据权利要求1所述的大功率125K射频激活电路，其特征在于：所述第二级放大电路包括第五NPN三极管、第九PNP三极管及第九十电阻，第五NPN三极管的发射极与第九PNP三极管的发射极串联并与第三级放大电路的输入端连接，第五NPN三极管的集电极通过第九十电阻与升压电路的输出端连接，第五NPN三极管及第九PNP三极管上的基极连接并与第一级放大电路的输出端连接。

5.根据权利要求1所述的大功率125K射频激活电路，其特征在于：所述第三级放大电路包括依次并联的第一推挽电路、第二推挽电路及第三推挽电路，的第一推挽电路、第二推挽电路及第三推挽电路分别与第九十六电阻、第九十七电阻及第九十八电阻的一端并联，第九十六电阻、第九十七电阻及第九十八电阻的另一端连接构成第三级放大电路的输入端，第三级放大电路的输入端通过第一百零三电阻与接地端连接。

6.根据权利要求5所述的大功率125K射频激活电路，其特征在于：所述第一推挽电路包括第二NMOS管及第十一PMOS管，第二NMOS管上的源极与第十一PMOS管上的漏极连接，第二NMOS管上的栅极与第十一PMOS管上的栅极连接，第十一PMOS管上的源极与接地端连接，第二NMOS管上的漏极与升压电路的输出端连接；所述第二推挽电路包括第三NMOS管及第十二PMOS管，第三NMOS管上的源极与第十二PMOS管上的漏极连接，第三NMOS管上的栅极与第十二PMOS管上的栅极连接，第十二PMOS管上的源极与接地端连接，第三NMOS管上的漏极与升压电路的输出端连接；所述第三推挽电路包括第四NMOS管及第十三PMOS管，第四NMOS管上的源极与第十三PMOS管上的漏极连接，第四NMOS管上的栅极与第十三PMOS管上的栅极连接，第十三PMOS管上的源极与接地端连接，第四NMOS管上的漏极与升压电路的输出端连接。

7.根据权利要求6所述的大功率125K射频激活电路，其特征在于：所述第二NMOS管上的漏极还通过第八十七电容与接地端连接，所述第三NMOS管上的漏极还通过第八十八电容与接地端连接，第四NMOS管上的漏极还通过第八十九电容与接地端连接。

8.根据权利要求4所述的大功率125K射频激活电路，其特征在于：第五NPN三极管上的基极通过第七电容与第九PNP三极管上的基极连接，第七电容的其中一端连接有第五二极管及第六电阻、另一端连接有第六二极管及第八电阻，第六电阻及第八电阻的另一端与第一级放大电路的输出端连接，第五NPN三极管的两端并联有第七电阻，第六NPN三极管的两端并联有第九电阻。