[实用新型]薄型晶圆前端处理设备有效
| 申请号： | 201820453376.1 | 申请日： | 2018-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN208045460U | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 颜锡铭 | 申请（专利权）人： | 锡宬国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 许志勇;王宁 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 晶圆载体 前端处理设备 薄型 真空腔体 本实用新型 传输装置 导电装置 定位装置 传送 厚度增加 后续工艺 传输 真空腔 破片 损伤 体内 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄型晶圆前端处理设备，其特征在于，所述薄型晶圆前端处理设备包含：
真空腔体；
传输装置，用以传送晶圆载体与晶圆；
定位装置，用于将所述晶圆载体或所述晶圆进行定位；以及
导电装置，设置于所述真空腔体内；
其中所述传输装置在将所述晶圆载体或所述晶圆传输至所述真空腔体前，先将所述晶圆载体或所述晶圆传输至所述定位装置进行定位，且所述晶圆载体及所述晶圆于所述真空腔体中通过所述导电装置结合或分开。
2.根据权利要求1所述的薄型晶圆前端处理设备，其特征在于，所述晶圆载体与所述晶圆分别包括V型凹槽，且所述定位装置包括V型凹槽寻边器，所述V型凹槽寻边器定位所述晶圆载体与所述晶圆各自的V型凹槽。
3.根据权利要求2所述的薄型晶圆前端处理设备，其特征在于，所述晶圆载体还包括一对电极点与多个定位孔，且所述V型凹槽寻边器定位所述一对电极点或所述多个定位孔。
4.根据权利要求3所述的薄型晶圆前端处理设备，其特征在于，所述真空腔体内具有载台，所述载台包括可伸缩的多个抵顶柱，所述多个抵顶柱可穿设所述多个定位孔。
5.根据权利要求1所述的薄型晶圆前端处理设备，其特征在于，所述传输装置包含机械手臂及吸附装置，所述机械手臂连接并控制所述吸附装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于锡宬国际有限公司，未经锡宬国际有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820453376.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高速光伏组件生产设备
- 下一篇：一种芯片切割装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
