[实用新型]一种倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片

权利要求书

1.一种倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，包括外延层（4），在外延层（4）的表面向下开设有若干沟槽（6），在沟槽（6）的内壁上设置有氧化层（5），在氧化层（5）内填充有多晶硅（7），在外延层（4）以及多晶硅（7）的表面上形成肖特基界面，其特征在于：所述的沟槽（6）包括水平底面以及与底面倾斜设置的侧壁，在沟槽（6）的底部形成半导体类型与外延层（4）相反的反型区，所述的氧化层（5）的顶部位于沟槽（6）内壁的中下部，在沟槽（6）内壁的中上部同时设置有肖特基界面。

2.根据权利要求1所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述的外延层（4）为N型半导体，所述的反型区为P型半导体的P型区（3）。

3.根据权利要求1或2所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述的反型区的掺杂浓度为外延层（4）掺杂浓度的2~100倍。

4.根据权利要求2所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述P型区（3）的厚度为0.2~0.5μm。

5.根据权利要求1所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述氧化层（5）的厚度为50nm~500nm。

6.根据权利要求1所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述沟槽（6）上端口的直径为2~10μm。

7.根据权利要求1所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述氧化层（5）上端与沟槽（6）上端的距离占沟槽（6）深度的4/5~1/5。

8.根据权利要求1或7所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述沟槽（6）的深度为1~5μm。

9.根据权利要求1所述的倾斜式沟槽的大导电面积沟槽式肖特基芯片，其特征在于：所述沟槽（6）的侧壁与底面之间的夹角为120°~130°。