[实用新型]一种加热组件

说明书

本实用新型涉及半导体设备加工技术领域，尤其涉及一种加热组件。本申请提供的加热组件，设于载板下方，包括呈上下设置的第一加热单元及第二加热单元，第一加热单元包括多根平行布置的第一加热元件，第二加热单元包括多根平行布置的第二加热元件；第一加热元件的排布方向垂直于第二加热元件的排布方向设置，且第一加热元件与第二加热元件在载板加热面上的投影构成多个环形加热区域。结构简单，设计合理，通过设有上下两层的加热单元，每个加热单元均包括多根加热元件，且两个加热单元的加热元件在载板加热面上的投影共同构成了多个环形加热区域，如此，把载板的加热面分为多个环形的区域，有效提高了加热温度分布的均匀性，利于工艺结果的提升。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备加工技术领域，尤其涉及一种加热组件。

背景技术

目前，光电器件、太阳能器件、半导体器件通常利用多种制造工艺处理衬底表面而被制造。外延膜或材料通过化学气相沉积(CVD)工艺或金属有机物CVD(MOCVD)工艺被生长或沉积在衬底上的方法被广泛应用，外延膜或材料通常对于特定的器件，例如光电器件、太阳能器件等都会包括多个不同组分的层。

CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)、常压CVD(APCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)及金属有机化合物CVD(MOCVD)等。共同特征是用于工艺沉积的腔室与大气隔绝，内部用于沉积薄膜工艺的晶片衬底需要加热到一定的工艺温度，例如用于硅外延的APCVD和用于沉积GaN的MOCVD，其外延工艺温度超过1000℃。高温下如何保持温度均匀性，对工艺的结果会产生巨大的影响，如LED行业中的MOCVD设备的温度均匀性被要求达到1℃。

特别的，对于平板式反应腔室，例如公开专利CN102422392加热灯系统及其方法的实施方案中，通过使晶片承载器沿着晶片承载器轨道将晶片衬底移送至工艺沉积腔室内，用于支撑晶片衬底的晶片衬托器下表面暴露于从加热灯组件辐射的能量下，同时晶片衬底被晶片衬托器加热至工艺温度。具体如图1所示，红外加热灯组件被布置在晶片承载器轨道的下方，其中包括多个安装高度一样的红外加热灯管624，多个红外加热灯管624平行排布，构成加热区。但是，采用上述红外加热灯管平行排布的方式，虽说可以独立调节每个灯管的电量用以控制灯管辐射的能量，但是只能调节灯管平行排布方向的温度分布，而与灯管排布垂直方向的温度分布则无法调节，即每只灯管的长度方向无法调节功率，也就不能调节该方向上的温度分布，这个缺陷造成在现有控制技术上温度分布不能满足更高的均匀性要求。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型的目的是：提供一种结构简单、设计合理且能实现对整个载板加热区域周向的温度分布均匀控制的加热组件，以解决现有的加热方式只能单向调节温度分布，进而造成不能满足更高的温度均匀性的问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种加热组件，设于载板下方，用于对所述载板的加热面进行加热，包括呈上下设置的第一加热单元及第二加热单元，所述第一加热单元包括多根平行布置的第一加热元件，所述第二加热单元包括多根平行布置的第二加热元件；所述第一加热元件的排布方向垂直于所述第二加热元件的排布方向设置，且所述第一加热元件与第二加热元件在所述载板加热面上的投影构成多个环形加热区域。

根据上述技术方案的优选，所述第一加热元件及第二加热元件均包括加热段和非加热段，所述第一加热元件与第二加热元件的加热段在所述载板加热面上的投影构成类“回”字型。

根据上述技术方案的优选，所述第一加热元件及第二加热元件均为独立控制的加热灯管，所述加热灯管包括石英玻璃管及设于所述石英玻璃管内的灯丝。

根据上述技术方案的优选，进一步地，还包括用于控制各个所述加热灯管中灯丝的功率的控制器。

根据上述技术方案的优选，所述加热灯管对应于所述灯丝发热段的管壁下表面设有反射层。