[实用新型]一种TO封装半导体芯片高温出光功率测试装置有效
申请号: | 201820389316.8 | 申请日: | 2018-03-22 |
公开(公告)号: | CN207966928U | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 黄章挺;杨重英;邓仁亮;李敬波;高家敏;吴林福生;薛正群;苏辉 | 申请(专利权)人: | 福建中科光芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350003 福建省福州市鼓楼*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位台 半导体芯片 光纤适配器 出光功率 测试装置 夹具 本实用新型 高温状态 夹具夹 可移动地安装 光输入端 输入光强 焦距 出光端 预设 加热 微调 测量 测试 | ||
本实用新型提出一种TO封装半导体芯片高温出光功率测试装置,所述测试装置包括机架、TO夹具、光纤适配器、第二移位台和第一移位台;所述第二移位台和第一移位台可移动地安装于机架处;所述TO夹具固定于第二移位台处;所述光纤适配器固定于第一移位台处;当进行高温状态出光功率测试时,第一移位台使光纤适配器置于TO夹具夹持的TO封装半导体芯片的出光端焦距点处,所述第二移位台对TO夹具夹持的TO封装半导体芯片充分加热直至预设温度,然后第二移位台微调TO封装半导体芯片的位置,使光纤适配器光输入端处的输入光强达到最大;本实用新型能便捷地测量TO封装半导体芯片在高温状态下的出光功率。
技术领域
本实用新型涉及半导体激光器技术领域,尤其是一种TO封装半导体芯片高温出光功率测试装置。
背景技术
半导体激光器具有体积小、重量轻、寿命长、易于集成等显著特点,它的应用范围随着光通信产业的发展而更加广泛。目前的半导体激光器主要有FP-LD(FP腔双异质结半导体激光器) 和DFB-LD(分布反馈半导体激光器)。对于TO封装的半导体激光器,高温条件下工作性能是重要的,而出光功率是表征高温性能的参数,通常的光纤耦合台只测试室温下的出纤功率,高温下的出光功率却没有监控。
发明内容
本实用新型提出一种TO封装半导体芯片高温出光功率测试装置,能便捷地测量TO封装半导体芯片在高温状态下的出光功率。
本实用新型采用以下技术方案。
一种TO封装半导体芯片高温出光功率测试装置,所述测试装置包括机架、TO夹具、光纤适配器、第二移位台和第一移位台;所述第二移位台和第一移位台可移动地安装于机架处;所述TO夹具固定于第二移位台处;所述光纤适配器固定于第一移位台处;当进行高温状态出光功率测试时,第一移位台使光纤适配器置于TO夹具夹持的TO封装半导体芯片的出光端焦距点处,所述第二移位台对TO夹具夹持的TO封装半导体芯片充分加热直至预设温度,然后第二移位台微调TO封装半导体芯片的位置,使光纤适配器光输入端处的输入光强达到最大。
所述第二移位台设有TEC加热块与TO夹具相连;所述TEC加热块安装于第二移位台的铜块散热台处。
第一移位台设于第二移位台处;所述第二移位台前部设有支撑台;所述支撑台上设有精密移位台;所述精密移位台上设有铜块散热台和TO夹具。
所述第二移位台以精密移位台来微调TO封装半导体芯片的位置。
所述测试装置还包括对TEC加热块供电的电源。
当进行室温状态出光功率测试时,第一移位台使光纤适配器置于TO夹具夹持的TO封装半导体芯片的出光端焦距点处,然后第二移位台微调TO封装半导体芯片的位置,使光纤适配器光输入端处的输入光强达到最大。
本实用新型所述产品在半导体芯片生产过程中,可以进行对半导体激光器芯片高温下的出光功率进行监控,进而可以有效防止高温不良产品流入至客户端,自行设计的高温耦合台价格与外购相比成本低,能有效解决对高温性能监控不足的问题。
本实用新型中,所述第二移位台以精密移位台来微调TO封装半导体芯片的位置;使光纤适配器光输入端处的输入光强达到最大;此设计可以补偿TO封装半导体芯片受热状态下因热胀形变而引起的焦点飘移,使得光纤适配器光输入端能得到准确的光强值,从而保证与光纤适配器连接的测试仪器的测试值准确。
本实用新型中,所述TEC加热块安装于第二移位台的铜块散热台处;该设计可以加快测量后的设备冷却,使之能快速进入下一轮测试。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步详细的说明:
附图1是本实用新型的示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造