[实用新型]一种自升压的双电机驱动装置

说明书

本实用新型提供的一种自升压的双电机驱动装置，包括电源接口、电源保护电路、滤波电路、PWM信号接线端子、全桥MOSFET驱动器Ⅰ、全桥MOSFET驱动器Ⅱ、电荷泵升压电路Ⅰ、电荷泵升压电路Ⅱ、MOS管H桥Ⅰ、MOS管H桥Ⅱ、电机接口Ⅰ及电机接口Ⅱ。全桥MOSFET驱动器采用A4957芯片驱动H桥电路，PWM信号接线端子与A4957芯片的第8与第10引脚连接，电荷泵升压电路由电容串接在A4957的第4引脚与第5引脚之间形成。由于选择的芯片功耗低，无需散热片等额外器件，使得电路整体体积大大减小；电容与芯片内部自带的电荷泵控制模块协同工作实现升压，解决了片外升压电路干扰电源、外围电容电感配合工作稳定性差和电源纹波大效率低的问题。

技术领域

本实用新型涉及电机驱动技术领域，尤其涉及一种自升压的双电机驱动装置。

背景技术

现有的电压低于12V的MOS电机驱动电路都要外加升压电路，容易对电源电路产生干扰，造成稳定性差和工作效率低的问题。同时，现有的电机驱动电路由于有升压电路，体积比较大，在空间有限的工况下不便安装。

实用新型内容

本实用新型提供一种自升压的双电机驱动装置，技术方案如下：

一种自升压的双电机驱动装置，包括电源接口、电源保护电路、滤波电路、PWM信号接线端子、全桥MOSFET驱动器Ⅰ、全桥MOSFET驱动器Ⅱ、电荷泵升压电路Ⅰ、电荷泵升压电路Ⅱ、MOS管H桥Ⅰ、MOS管H桥Ⅱ、电机接口Ⅰ及电机接口Ⅱ。

全桥MOSFET驱动器Ⅰ与全桥MOSFET驱动器Ⅱ均采用A4957芯片， PWM信号接线端子与A4957芯片的第8与第10引脚连接，电荷泵升压电路由电容串接在A4957的第4引脚与第5引脚之间形成。

电源保护电路连接在电源接口与滤波电路之间，滤波电路与全桥 MOSFET驱动器Ⅰ及全桥MOSFET驱动器Ⅱ连接，全桥MOSFET驱动器Ⅰ与MOS管H桥Ⅰ连接，MOS管H桥Ⅰ与电机接口Ⅰ连接；全桥MOSFET 驱动器Ⅱ与MOS管H桥Ⅱ连接，MOS管H桥Ⅱ与电机接口Ⅱ连接。

进一步地，MOS管H桥Ⅰ包括芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3与芯片Q4， MOS管H桥Ⅱ包括芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7与芯片Q8，所述芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3、芯片Q4、芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7与芯片Q8均采用AON6504芯片，所述芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3及芯片Q4分别通过电阻与所述A4957的第20引脚、第24引脚、第2引脚及第18引脚连接，所述芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7及芯片Q8分别通过电阻与所述A4957的第 20引脚、第24引脚、第2引脚及第18引脚连接。

进一步地，电源保护电路由阴极与A4957的第3引脚相连的二极管1N5819组成，滤波电路由连接在二极管1N5819两级之间的两个电容组成。

进一步地，电源接口包括主电源接口与逻辑电源接口，主电源接口通过一个反向的二极管接入A4957的第3引脚，逻辑电源接口与A4957的第12 引脚连接。

本实用新型提供的自升压的双电机驱动装置，简化了电路原理图设计，元器件封装也选择小型表贴式以实现小巧轻便的效果，A4957芯片的封装为 QFN封装，尺寸为4×4×0.75mm；由于选择的芯片功耗低，无需散热片等额外器件，使得电路整体体积大大减小；A4957芯片的导通电阻很低，它内部集成了能提供大量瞬态充放电电流的栅极电容，以减少MOSFET在开关过程中的能量耗散。充放电率通过使用四个电阻串联到栅极和H桥之间来控制。将CP1和CP2两个引脚接470nF的电容，与芯片内部自带的电荷泵控制模块协同工作实现电压升压功能设计，解决了片外升压电路干扰电源、外围电容电感配合工作稳定性差和电源纹波大的效率低的问题。

附图说明