[实用新型]一种自升压的双电机驱动装置有效

专利信息
申请号: 201820387017.0 申请日: 2018-03-21
公开(公告)号: CN208226907U 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 陈世鹏;高菲;刘龙;鞠尔男;王伟 申请(专利权)人: 大连东软信息学院
主分类号: H02P5/00 分类号: H02P5/00
代理公司: 大连至诚专利代理事务所(特殊普通合伙) 21242 代理人: 涂文诗;杨威
地址: 116023 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 升压电路 升压 电荷泵 全桥 引脚 双电机驱动装置 电机接口 接线端子 芯片 电荷泵控制模块 电感 电源保护电路 本实用新型 工作稳定性 电容串接 电源接口 电源纹波 工作实现 滤波电路 外围电容 芯片功耗 芯片驱动 电容 散热片 减小 自带 电路 电源 协同 配合
【权利要求书】:

1.一种自升压的双电机驱动装置,包括电源接口(1)、电源保护电路(2)、滤波电路(3)、PWM信号接线端子(4)、全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)、全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)、电荷泵升压电路Ⅰ(7)、电荷泵升压电路Ⅱ(8)、MOS管H桥Ⅰ(9)、MOS管H桥Ⅱ(10)、电机接口Ⅰ(11)及电机接口Ⅱ(12);

所述全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)与所述全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)均采用A4957芯片,所述PWM信号接线端子(4)与所述A4957芯片的第8引脚与第10引脚连接,所述电荷泵升压电路Ⅰ(7)与电荷泵升压电路Ⅱ(8)均由电容串接在所述A4957的第4引脚与第5引脚之间形成;

所述电源保护电路(2)连接在所述电源接口(1)与滤波电路(3)之间,所述滤波电路(3)与所述全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)及全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)连接,所述全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)与所述MOS管H桥Ⅰ(9)连接,所述MOS管H桥Ⅰ(9)与所述电机接口Ⅰ(11)连接,所述全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)与所述MOS管H桥Ⅱ(10)连接,所述MOS管H桥Ⅱ(10)与电机接口Ⅱ(12)连接。

2.根据权利要求1所述的一种自升压的双电机驱动装置,其特征在于,所述MOS管H桥Ⅰ(9)包括芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3与芯片Q4,MOS管H桥Ⅱ(10)包括芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7与芯片Q8,所述芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3、芯片Q4、芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7与芯片Q8均采用AON6504芯片,所述芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3及芯片Q4分别通过电阻与所述A4957的第20引脚、第24引脚、第2引脚及第18引脚连接,所述芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7及芯片Q8分别通过电阻与所述A4957的第20引脚、第24引脚、第2引脚及第18引脚连接。

3.根据权利要求2所述的一种自升压的双电机驱动装置,其特征在于,所述电源保护电路(2)为阴极与所述A4957的第3引脚相连的二极管1N5819,所述滤波电路(3)由连接在所述二极管1N5819两级之间的两个电容组成。

4.根据权利要求3所述的一种自升压的双电机驱动装置,其特征在于,所述电源接口(1)包括主电源接口与逻辑电源接口,所述主电源接口通过一个反向的二极管接入所述A4957的第3引脚,所述逻辑电源接口与所述A4957 的第12引脚连接。

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