[实用新型]一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件

权利要求书

1.一种栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底；P型衬底内从左至右设有P阱和N型深阱；所述P阱内从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区、第一Poly注入层、第二P+注入区，第二Poly注入层跨接在P阱和N型深阱之间，N型深阱内从左到右依次设有第二N+注入区、第三P+注入区、第三N+注入区，所述第一N+注入区、第一P+注入区、第一Poly注入层、第二Poly注入层连接在一起作为器件的阴极；所述第三P+注入区和第四N+注入区连接在一起作为器件的阳极。

2.根据权利要求1所述的栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，其特征在于：所述第一P+注入区的左侧与P阱连接，第一P+注入区的右侧与第一N+注入区的左侧连接，第一N+注入区的右侧与第一Poly注入层的左侧连接，第一Poly注入层的右侧与第二P+注入区的左侧连接，第二P+注入区的右侧与第二Poly注入层的左侧连接。

3.根据权利要求2所述的栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，其特征在于：所述可控硅静电防护器件采用指状型布局，指状结构的栅极嵌入三个独立的、不接电位的第二P+注入区。

4.根据权利要求2所述的栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，其特征在于：所述可控硅静电防护器件的等效电路包括由第三P+注入区、N型深阱、P阱构成的PNP型晶体管；由第一N+注入区、P阱、N型深阱构成的NPN型晶体管；第三N+注入区形成的第一寄生电阻；第一P+注入区形成的第二寄生电阻。

5.根据权利要求4所述的栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，其特征在于：所述等效电路中，第一寄生电阻的一端与PNP型晶体管的发射极连接在一起并作为器件阳极，第一寄生电阻的另一端、PNP型晶体管的基极、NPN型晶体管的集电极连接在一起，NPN型晶体管的发射极与第二寄生电阻的一端连接在一起并作为器件阴极，NPN型晶体管的基极、第二寄生电阻的另一端、PNP型晶体管的集电极连接在一起。

6.根据权利要求5所述的栅极嵌入小岛式可控硅静电防护器件，其特征在于：ESD脉冲加在器件阳极时，N型深阱与P阱构成反偏NP结，当脉冲电压高于反偏NP结的雪崩击穿电压，器件内产生雪崩电流，电流经第二寄生电阻流向阴极，当第二寄生电阻两端的电压高于NPN型晶体管的cb结正向导通电压时，NPN型晶体管开启，开启的NPN型晶体管为PNP型晶体管提供基极电流，NPN型晶体管和PNP型晶体管构成正反馈回路，由NPN型晶体和PNP型晶体管构成的SCR结构被导通，泄放静电。