[实用新型]双膜可热弯LOW-E玻璃

说明书

本实用新型属于玻璃技术领域，尤其涉及一种双膜可热弯LOW‑E玻璃。该双膜可热弯LOW‑E玻璃包括具有锡面层和空气面层的玻璃基板，锡面层和空气面层的表面分别覆盖固定有第一膜层组件和第二膜层组件；第一膜层组件包括第一电介质干涉层、第二电介质干涉层、半导体低辐射层、第一复合介质保护层以及第二复合介质保护层；第二膜层组件包括第三电介质干涉层、第四电介质干涉层、第一合金光吸收层、金属低辐射层、第二合金光吸收层、第一电介质抗氧化层、第二电介质抗氧化层、第三复合介质保护层以及第四复合介质保护层。该LOW‑E玻璃具有高透光、低传热、高节能的性能特点，提升了现有镀膜玻璃产品的功能，增加了镀膜玻璃产品的多元性。

技术领域

本实用新型属于玻璃技术领域，尤其涉及一种双膜可热弯LOW-E玻璃。

背景技术

上世纪80年代开始，离线真空磁控溅射镀制低辐射镀膜玻璃技术得到迅猛的发展，从而使镀膜玻璃得到推广，与此同时，随着国家对建筑节能要求的不断提高，这类低辐射镀膜节能玻璃的应用普及程度也得到了不断的提高。同时，人们在选择建筑门窗玻璃时，除了考虑其外观美学特征外，也越来越注重玻璃的节能特性，如热量控制、制冷成本以及内部阳光投射舒适平衡等的问题。其中最主要的是解决热量透过问题，即如何控制玻璃对红外线波段的阻挡，使其透热量最少、保温性最高，从而降低制冷或采暖费用来提升节能性，也就是说，同时做到光热平衡是目前低辐射镀膜玻璃首要解决的问题。

目前市面上常见的可以控制热能的低辐射镀膜玻璃有单银LOW-E玻璃、双银LOW-E玻璃以及三银LOW-E玻璃，虽然后两者的热量透过率相对较低、光热平衡度较好，但是同样的制作面积，后两者的制造成本要比单银LOW-E玻璃高出3至6倍，故而对节能要求高的建筑成本也会大幅度增加。此外，虽然双银LOW-E和三银LOW-E的玻璃产品可以控制较低的传热，但是其不能满足高遮阳的要求，故其在北方一些对遮阳及传热要求高的地区的使用也会受到限制；而单银LOW-E玻璃虽然具有较好的遮阳能力，但是其传热能力却没有双银LOW-E玻璃和三银LOW-E玻璃好。所以，设计一种既够满足低传热要求并控制遮阳，也能够达到高遮阳要求并控制传热，同时成本又相对低于双银LOW-E和三银LOW-E玻璃产品的新型节能产品是目前玻璃市场的又一发展方向。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种双膜可热弯LOW-E玻璃，旨在解决现有技术中的镀膜玻璃在传热性能、遮阳性能以及制作成本之间存在矛盾的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：提供一种双膜可热弯LOW-E玻璃，包括玻璃基板，玻璃基板相对的两表面分别为锡面层和空气面层，锡面层和空气面层的表面分别覆盖固定有第一膜层组件和第二膜层组件；第一膜层组件包括依序叠设的第一电介质干涉层、第二电介质干涉层、半导体低辐射层、第一复合介质保护层以及第二复合介质保护层，第一电介质干涉层覆盖固定于锡面层上；第二膜层组件包括依序叠设的第三电介质干涉层、第四电介质干涉层、第一合金光吸收层、金属低辐射层、第二合金光吸收层、第一电介质抗氧化层、第二电介质抗氧化层、第三复合介质保护层以及第四复合介质保护层，第三电介质干涉层覆盖固定于空气面层上。

优选地，第一电介质干涉层和第二电介质干涉层分别为ZnAlO_X层和SiO₂层；且第一电介质干涉层的厚度为20nm～40nm，第二电介质干涉层的厚度为40nm～60nm。

优选地，半导体低辐射层为ITO层，且半导体低辐射层的厚度为10nm～18nm。

优选地，第一复合介质保护层和第二复合介质保护层分别为SiO₂层和ZrO₂层；且第一复合介质保护层的厚度为20nm～40nm，第二复合介质保护层的厚度为40nm～60nm。

优选地，第三电介质干涉层和第四电介质干涉层分别为Si₃N₄层和AZO层；且第三电介质干涉层的厚度为15nm～25nm，第四电介质干涉层的厚度为10nm～20nm。