[实用新型]双膜可热弯LOW-E玻璃有效
| 申请号： | 201820384241.4 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN208071587U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 董清世;陈大伟 | 申请（专利权）人： | 信义玻璃（天津）有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 300000 天津市滨*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质 复合介质 保护层 干涉层 热弯 双膜 镀膜玻璃产品 低辐射层 第一膜层 光吸收层 抗氧化层 组件包括 空气面 膜层 锡面 合金 玻璃技术领域 本实用新型 玻璃基板 性能特点 低传热 高节能 高透光 半导体 金属 覆盖 | ||
1.一种双膜可热弯LOW-E玻璃，包括玻璃基板，所述玻璃基板相对的两表面分别为锡面层和空气面层，其特征在于：所述锡面层和所述空气面层的表面分别覆盖固定有第一膜层组件和第二膜层组件；所述第一膜层组件包括依序叠设的第一电介质干涉层、第二电介质干涉层、半导体低辐射层、第一复合介质保护层以及第二复合介质保护层，所述第一电介质干涉层覆盖固定于所述锡面层上；所述第二膜层组件包括依序叠设的第三电介质干涉层、第四电介质干涉层、第一合金光吸收层、金属低辐射层、第二合金光吸收层、第一电介质抗氧化层、第二电介质抗氧化层、第三复合介质保护层以及第四复合介质保护层，所述第三电介质干涉层覆盖固定于所述空气面层上。
2.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一电介质干涉层和所述第二电介质干涉层分别为ZnAlOX层和SiO2层；且所述第一电介质干涉层的厚度为20nm～40nm，第二电介质干涉层的厚度为40nm～60nm。
3.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述半导体低辐射层为ITO层，且所述半导体低辐射层的厚度为10nm～18nm。
4.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一复合介质保护层和第二复合介质保护层分别为SiO2层和ZrO2层；且所述第一复合介质保护层的厚度为20nm～40nm，所述第二复合介质保护层的厚度为40nm～60nm。
5.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述第三电介质干涉层和所述第四电介质干涉层分别为Si3N4层和AZO层；且所述第三电介质干涉层的厚度为15nm～25nm，所述第四电介质干涉层的厚度为10nm～20nm。
6.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一合金光吸收层和所述第二合金光吸收层均为NiCrNX层；且所述第一合金光吸收层和所述第二合金光吸收层的厚度均为4nm～15nm。
7.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述金属低辐射层为AgNX层；且所述金属低辐射层的厚度为5nm～10nm。
8.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述第一电介质抗氧化层和所述第二电介质抗氧化层分别为AZO层和ZnAlOX层；且所述第一电介质抗氧化层和所述第二电介质抗氧化层的厚度均为5nm～15nm。
9.根据权利要求1所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述第三复合介质保护层和所述第四复合介质保护层分别为Si3N4层和ZrO2层；且所述第三复合介质保护层膜层的厚度为10nm～20nm，所述第四复合介质保护层膜层的厚度为10nm～15nm。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的双膜可热弯LOW-E玻璃，其特征在于，所述玻璃基板为浮法玻璃。
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