[实用新型]MicroLED或mini LED封装结构有效
| 申请号： | 201820359706.0 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN208014743U | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 朱浩;刘国旭 | 申请（专利权）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/48 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦庄经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凹型结构 通孔 驱动结构 芯片单元 上表面 下表面 电极 本实用新型 电极电性 封装结构 有效解决 供电 输出 | ||
1.一种MicroLED或mini LED封装结构，其特征在于，所述封装结构中包括：一载体、设置在载体上表面的至少一个LED芯片以及设置在载体下表面的驱动结构，其中，
所述载体中包括至少一个芯片单元；每个所述芯片单元的上表面包括用于放置一个LED芯片的第一凹型结构，所述第一凹型结构的底部包括与LED芯片中电极对应的两个通孔；
所述LED芯片设置在第一凹型结构中，通过电极邦定在第一凹型结构底部的通孔内；
所述驱动结构设置在载体的下表面，供电输出通过第一凹型结构底部的通孔与各LED芯片的电极电性连接。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，
所述驱动结构为独立驱动芯片，所述封装结构中包括至少一个驱动芯片，所述驱动芯片与LED芯片一一对应设置，且设置在芯片单元的下表面，通过电极邦定在通孔中，与LED芯片的电极电性连接；或，
所述驱动结构为CMOS驱动电路，所述CMOS驱动电路设置在载体的下表面，供电输出通过第一凹型结构底部的通孔与各LED芯片的电极电性连接。
3.如权利要求1或2所述的封装结构，其特征在于，在每个芯片单元中，所述第一凹型结构底部的两个通孔中填充有导电金属；
所述LED芯片设置在第一凹型结构中，且通过电极邦定在隔离结构中通孔内的导电金属上；
所述驱动结构设置在载体的下表面，供电输出通过第一凹型结构底部通孔内的导电金属与各LED芯片的电极电性连接。
4.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，
在每个芯片单元的下表面中还包括用于放置一个驱动芯片的第二凹型结构，所述第二凹型结构与第一凹型结构相对设置，且所述第一凹型结构和第二凹型结构之间包括一隔离结构，所述隔离结构中包括与LED芯片中电极对应的两个通孔；
所述LED芯片设置在第一凹型结构中，通过电极邦定在隔离结构的通孔中；
与LED芯片一一对应设置的驱动芯片设置在第二凹型结构中，通过电极邦定在隔离结构的通孔中，与LED芯片的电极电性连接。
5.如权利要求4所述的封装结构，其特征在于，在每个芯片单元中，所述隔离结构的两个通孔中填充有导电金属；
所述LED芯片设置在第一凹型结构中，且通过电极邦定在隔离结构中通孔内的导电金属上；
与LED芯片一一对应设置的驱动芯片设置在第二凹型结构中，且通过电极邦定在隔离结构中通孔内的导电金属上，与LED芯片的电极电性连接。
6.如权利要求1或2或4或5所述的封装结构，其特征在于，
当所述芯片单元中包括第一凹型结构，所述第一凹型结构中凹型位置的宽度为5~500μm；
当所述芯片单元中包括第一凹型结构和第二凹型结构，所述第一凹型结构和第二凹型结构中凹型位置的宽度为5~500μm。
7.如权利要求6所述的封装结构，其特征在于，
当所述芯片单元中包括第一凹型结构，所述第一凹型结构中凹型位置的宽度为5~100μm；
当所述芯片单元中包括第一凹型结构和第二凹型结构，所述第一凹型结构和第二凹型结构中凹型位置的宽度为5~100μm。
8.如权利要求1或2或4或5所述的封装结构，其特征在于，所述载体由聚酯薄膜制备而成。
9.如权利要求1或2或4或5所述的封装结构，其特征在于，所述LED芯片为倒装LED芯片或薄膜LED芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于易美芯光（北京）科技有限公司，未经易美芯光（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820359706.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED光源结构
- 下一篇：一种用于UVLED灯的冷却装置散热结构
