[实用新型]一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管

说明书

本实用新型公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体表面靠近一端设置有晶体管固定孔，所述晶体管主体的一侧设置有多功能开槽，所述晶体管固定孔的另一端位于晶体管主体的表面设置有基极凹槽，所述基极凹槽的一侧设置有集电极凹槽，所述基极凹槽的另一侧设置有发射极凹槽，将晶体管电机设置为可转动的连接模式，在安装和运输时可将电极放置在设置的凹槽内，在晶体管安装时再将电极拨出，可以防止电极因颠簸或者压碰导致的变形断裂，在晶体管的侧面设置有多个半圆形凹槽，通过凹槽可对晶体管进行固定，在使用晶体管时也可以通过增大表面提高晶体管散热效果，提高晶体管使用性能。

技术领域

本实用新型属于电子元件技术领域，具体涉及一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。

背景技术

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能，晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上，严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，晶体管有时多指晶体三极管，晶体管主要分为两大类：双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。

现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，晶体管的电极硬度较低，在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断，造成不必要的损失，且晶体管在运输时不便于固定，在使用时晶体管的散热对使用也有影响的问题，为此我们提出一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，以解决上述背景技术中提出的现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，晶体管的电极硬度较低，在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断，造成不必要的损失，且晶体管在运输时不便于固定，在使用时晶体管的散热对使用也有影响的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体表面靠近一端设置有晶体管固定孔，所述晶体管主体的一侧设置有多功能开槽，所述晶体管固定孔的一端位于晶体管主体的表面设置有基极凹槽，所述基极凹槽的一侧设置有集电极凹槽，所述基极凹槽的另一侧设置有发射极凹槽，所述晶体管主体的表面靠近另一端连接设置有电极转轴，所述集电极凹槽的一端通过电极转轴连接设置有晶体管集电极，所述基极凹槽的一端通过电极转轴连接设置有晶体管基极，所述发射极凹槽的一端通过电极转轴连接设置有晶体管发射极，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极固定连接在电极转轴上。

优选的，所述多功能开槽为半圆型结构，且晶体管主体的两侧均设置有七个多功能开槽。

优选的，所述电极转轴的长度贯穿发射极凹槽、集电极凹槽和基极凹槽。

优选的，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极通过电极转轴转动连接在晶体管主体上。

优选的，所述晶体管主体为矩形结构。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)现有的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，晶体管的电极硬度较低，在安装或者运输时若不注意碰到电机易将电极压弯或者碰断，造成不必要的损失，将晶体管电机设置为可转动的连接模式，在安装和运输时可将电极放置在设置的凹槽内，在晶体管安装时再将电极拨出，可以防止电极因颠簸或者压碰导致的变形断裂；

(2)且晶体管在运输时不便于固定，在使用时晶体管的散热对使用也有影响，在晶体管的侧面设置有多个半圆形凹槽，通过凹槽可对晶体管进行固定，在使用晶体管时也可以通过增大表面提高晶体管散热效果，提高晶体管使用性能。