[实用新型]一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201820354347.X | 申请日： | 2018-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN207993872U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 张翅 | 申请（专利权）人： | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367;H01L23/13 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 361009 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 晶体管主体 电极 场效应晶体管 碳化硅半导体 低能耗型 固定孔 半圆形凹槽 本实用新型 表面设置 侧面设置 连接模式 散热效果 使用性能 一端设置 发射极 集电极 可转动 拨出 开槽 变形 颠簸 电机 断裂 运输 | ||
1.一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体(1)，其特征在于：所述晶体管主体(1)表面靠近一端设置有晶体管固定孔(2)，所述晶体管主体(1)的一侧设置有多功能开槽(3)，所述晶体管固定孔(2)的一端位于晶体管主体(1)的表面设置有基极凹槽(10)，所述基极凹槽(10)的一侧设置有集电极凹槽(9)，所述基极凹槽(10)的另一侧设置有发射极凹槽(4)，所述晶体管主体(1)的表面靠近另一端连接设置有电极转轴(8)，所述集电极凹槽(9)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管集电极(7)，所述基极凹槽(10)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管基极(6)，所述发射极凹槽(4)的一端通过电极转轴(8)连接设置有晶体管发射极(5)，所述晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)固定连接在电极转轴(8)上。
2.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述多功能开槽(3)为半圆型结构，且晶体管主体(1)的两侧均设置有七个多功能开槽(3)。
3.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述电极转轴(8)的长度贯穿发射极凹槽(4)、集电极凹槽(9)和基极凹槽(10)。
4.根据权利要求1或3所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)通过电极转轴(8)转动连接在晶体管主体(1)上。
5.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管主体(1)为矩形结构。
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