[实用新型]图像传感器有效
| 申请号: | 201820321127.7 | 申请日: | 2018-03-09 |
| 公开(公告)号: | CN208690261U | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
| 发明(设计)人: | B·A·瓦尔特斯塔;N·W·查普曼 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 光敏区 本实用新型 非矩形像素 微透镜 覆盖 | ||
本实用新型涉及图像传感器。本实用新型的一个目的是提供图像传感器。该图像传感器包括:非矩形像素,所述非矩形像素具有第一光敏区和第二光敏区;以及微透镜,所述微透镜覆盖所述第一光敏区和所述第二光敏区。一个实施例已经解决了技术问题中的至少一个并且实现了本实用新型的相应的有利效果。
技术领域
本实用新型整体涉及成像系统,并且更具体地讲涉及具有高动态范围功能和相位检测能力的成像系统。
背景技术
现代电子设备(诸如移动电话、相机和计算机)通常使用数字图像传感器。成像传感器(有时称为成像器)可由二维图像感测像素阵列形成。每个像素接收入射光子(光)并将这些光子转换成电信号。有时,图像传感器被设计为使用联合图像专家组(JPEG)格式将图像提供给电子设备。
诸如自动聚焦和三维(3D)成像的一些应用可能需要电子设备提供立体和/或深度感测能力。例如,为了将感兴趣的物体带入焦点中以便捕获图像,电子设备可能需要识别电子设备与感兴趣的物体之间的距离。为了识别距离,常规电子设备使用复杂的布置。一些布置需要使用多个图像传感器以及从各种视点捕获图像的相机透镜。其它布置需要添加透镜阵列,该透镜阵列将入射光聚焦在二维像素阵列的子区域上。由于添加了诸如附加图像传感器或复杂透镜阵列的部件,这些布置导致降低的空间分辨率、增加的成本和增加的复杂性。
常规成像系统还可能具有带有与低动态范围相关的伪影的图像。具有较亮部分和较暗部分的场景可在常规图像传感器中产生伪影,因为低动态范围图像的各部分可能曝光过度或曝光不足。多个低动态范围图像可以组合成单个高动态范围图像,但是这通常会引入伪影,特别是在动态场景中。
本文的实施方案就是在这种背景下出现的。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供图像传感器。
根据本实用新型的一个方面,提供有一种图像传感器,包括:非矩形像素,所述非矩形像素具有第一光敏区和第二光敏区;以及微透镜,所述微透镜覆盖所述第一光敏区和所述第二光敏区。
优选地,所述非矩形像素为六边形。
优选地,所述第一光敏区和所述第二光敏区具有相同尺寸。
优选地,所述非矩形像素还包括被所述微透镜覆盖的第三光敏区,其中所述非矩形像素还包括被所述微透镜覆盖的第四光敏区,其中所述非矩形像素还包括被所述微透镜覆盖的第五光敏区和第六光敏区,并且其中所述图像传感器还包括将所述六个光敏区分隔开的深沟槽隔离结构。
优选地,所述图像传感器还包括:深沟槽隔离结构,所述深沟槽隔离结构插置在所述第一光敏区与所述第二光敏区之间。
优选地,所述图像传感器还包括:滤色器元件,所述滤色器元件形成在所述非矩形像素上方;以及滤色器外壳结构,所述滤色器外壳结构包围所述滤色器元件。
根据本实用新型的又一个方面,提供有一种图像传感器,包括:非矩形像素,所述非矩形像素包括:内部子像素;以及外部子像素,所述外部子像素包围所述内部子像素。
优选地,所述外部子像素完全包围所述内部子像素。
优选地,所述非矩形像素为六边形,并且其中所述图像传感器还包括覆盖所述六边形像素的半环形微透镜。
优选地,所述外部子像素划分为多个光电二极管区,并且其中所述内部子像素划分为多个光电二极管区。
一个实施例已经解决了技术问题中的至少一个并且实现了本实用新型的相应的有利效果。
附图说明
图1是根据一个实施方案的具有图像传感器的例示性电子设备的示意图,该图像传感器可包括相位检测像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





