[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201820321127.7 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN208690261U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | B·A·瓦尔特斯塔;N·W·查普曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 光敏区 本实用新型 非矩形像素 微透镜 覆盖 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
非矩形像素，所述非矩形像素具有第一光敏区和第二光敏区；以及
微透镜，所述微透镜覆盖所述第一光敏区和所述第二光敏区。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述非矩形像素为六边形。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一光敏区和所述第二光敏区具有相同尺寸。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述非矩形像素还包括被所述微透镜覆盖的第三光敏区，其中所述非矩形像素还包括被所述微透镜覆盖的第四光敏区，其中所述非矩形像素还包括被所述微透镜覆盖的第五光敏区和第六光敏区，并且其中所述图像传感器还包括将所述六个光敏区分隔开的深沟槽隔离结构。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
深沟槽隔离结构，所述深沟槽隔离结构插置在所述第一光敏区与所述第二光敏区之间。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：
滤色器元件，所述滤色器元件形成在所述非矩形像素上方；以及
滤色器外壳结构，所述滤色器外壳结构包围所述滤色器元件。
7.一种图像传感器，其特征在于，包括：
非矩形像素，所述非矩形像素包括：
内部子像素；以及
外部子像素，所述外部子像素包围所述内部子像素。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述外部子像素完全包围所述内部子像素。
9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述非矩形像素为六边形，并且其中所述图像传感器还包括覆盖所述六边形像素的半环形微透镜。
10.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述外部子像素划分为多个光电二极管区，并且其中所述内部子像素划分为多个光电二极管区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
