[实用新型]一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具

说明书

本实用新型提供一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅‑硼硅玻璃氧化层的夹具,夹具由面板和底板两块绝缘板构成，两块绝缘板用螺钉连接在一起能分离，面板和底板上对应地有定位槽，电极导电凹槽，圆形通孔，圆形通孔内圆有导电的电极，在面板的圆形通孔和电极导电凹槽之间，有二根隐性导电极与圆形通孔内圆电极连通，在底板圆形通孔的上方有一段凸起平口。所述二根隐性导电极是注塑在面板内的钛电极，不露在表面。所述圆形通孔内圆的电极是注塑在绝缘板内圆。本实用新型的优点是，实现了通过电解的方式去除晶片wafer表面的磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层，降低了传统喷砂工艺的造成晶片wafer表面损伤机率，保证了产品表面的一致性及稳定性。

技术领域

本实用新型涉及处理晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的装置。

背景技术

目前晶片(wafer)生产制造中，磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的表面处理工艺主要有以下方法

1:干式、湿式喷砂工艺：也是目前较为常用的去除磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的工艺方法，该方法简单，成本较低，容易掌握，但是该工艺方法在去除磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的同时，同时会在wafer的表面产生一层机械损伤层，降低wafer本身的强度，进而影响产品的后续良率，损伤程度与喷砂压力大小有着直接的关系，且会对后续产品的良率及隐形的crack有直接的影响；由于喷砂工艺在喷砂作业中，使用较大的气体和砂水压力，会产生较大的噪音污染，长时间处于此环境下，人体的听力会受到很大程度的影响，由于使用砂的大小均为几十微米的粉尘，很容易引起粉尘污染，对人体呼吸系统造成损害。

2:混酸腐蚀工艺：利用不同的酸配比工艺，将wafer表面的磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层腐蚀剥离工艺，此方法的优势主要是不会对wafer的表面造成损伤，但是混酸腐蚀工艺并不能完全将表面完全去除干净，且在去除到氧化层的底层是会对wafer有一定的腐蚀，后续仍需要结合小压力的喷砂工艺将表面的残留氧化层去除干净。

发明内容

为解决喷砂工艺造成的晶片（wafer）表面机械损伤及混酸腐蚀无法彻底一次去除干净表面的磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层的问题,本发明提供一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具, 夹具由面板和底板两块绝缘板构成，两块绝缘板用螺钉连接在一起能分离，面板和底板上对应地有定位槽，电极导电凹槽，圆形通孔，圆形通孔内圆有导电的电极，在面板的圆形通孔和电极导电凹槽之间，有二根隐性导电极与圆形通孔内圆电极连通，在底板圆形通孔的上方有一段凸起平口。

所述二根隐性导电极是注塑在面板内的钛电极，不露在表面。

所述圆形通孔内圆的电极是注塑在绝缘板内圆。

本实用新型的优点是，实现了通过电解的方式去除晶片wafer表面的磷硅玻璃、硼硅玻璃氧化层，降低了传统喷砂工艺的造成的wafer表面损伤机率，保证了产品表面的一致性及稳定性，同时也能够简化工艺，替代混酸腐蚀工艺，实现一次性将表面氧化层去除干净，该方法适用于所有晶片wafer制造过程中的表面氧化层处理工艺。

附图说明

图1本实用新型的正面平面图

图2是图1的侧视图

图3是图2的分解图

图4是底板上平口位置示意图

图中标号说明:

1-定位槽；2-电极导电凹槽；3-二个隐性电极；4-固定螺栓；5-圆形通孔；6-绝缘板；7-面板；8-底板；9-环状导最电极；10-放置晶片的平口。

具体实施方式