[实用新型]一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具有效
| 申请号： | 201820317731.2 | 申请日： | 2018-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN207868184U | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 马兆国;蔡荣华;黄建勋 | 申请（专利权）人： | 上海旭福电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 罗习群;陈臻晔 |
| 地址： | 201619 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 圆形通孔 电极 底板 夹具 硼硅玻璃 绝缘板 氧化层 内圆 注塑 本实用新型 导电凹槽 电解工艺 晶片表面 导电极 晶片 磷硅 表面损伤 产品表面 磷硅玻璃 螺钉连接 内圆电极 喷砂工艺 定位槽 钛电极 导电 平口 凸起 电解 去除 连通 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具，其特征在于，夹具由面板和底板两块绝缘板构成，两块绝缘板用螺钉连接在一起能分离，面板和底板上对应地有定位槽，电极导电凹槽，圆形通孔，圆形通孔内圆有导电的电极，在面板的圆形通孔和电极导电凹槽之间，有二根隐性导电极与圆形通孔内圆电极连通，在底板圆形通孔的上方有一段凸起平口。
2.按权利要求1所述一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具，其特征在于，所述二根隐性导电极是注塑在面板内的钛电极，不露在表面。
3.按权利要求1所述一种采用电解工艺清除晶片表面磷硅-硼硅玻璃氧化层的夹具，其特征在于，所述圆形通孔内圆的电极是注塑在绝缘板内圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
