[实用新型]一种用于纳米压印的自动覆膜切膜装置有效
申请号: | 201820314911.5 | 申请日: | 2018-03-08 |
公开(公告)号: | CN208247454U | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 刘斌 | 申请(专利权)人: | 宁波微迅新材料科技有限公司 |
主分类号: | B29C63/02 | 分类号: | B29C63/02;B29C63/00;B65H35/06 |
代理公司: | 宁波慈恒专利代理事务所(特殊普通合伙) 33249 | 代理人: | 刘世勇 |
地址: | 315000 浙江省宁*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切膜装置 传送带 安装座 传感装置 覆膜装置 压辊装置 自动覆膜 工作效率 纳米压印 切膜 生产成本 本实用新型 安装设备 合为一体 覆膜 | ||
本实用新型公开了一种用于纳米压印的自动覆膜切膜装置,包括安装座,位于所述安装座上设有传送带、覆膜装置、切膜装置、传感装置和压辊装置,所述传送带设置在安装座上方,所述切膜装置和压辊装置设置在传送带上方,所述覆膜装置和传感装置设置在安装座上,其结构合理,省却人力,实现自动覆膜和切膜,大大提高工作效率,减少了生产成本,将传送带、覆膜装置、切膜装置、传感装置和压辊装置设置在同一安装设备上,这样实现了覆膜和切膜两者功能合为一体,从而提高了工作效率,降低了生产成本。
技术领域
本实用新型涉及纳米加工技术领域,更具体地说,涉及一种用于纳米压印的自动覆膜切膜装置。
背景技术
纳米压印技术是微纳米器件制作工艺中的一个重要技术,纳米压印技术最早由StephenYChou教授在1995年率先提出,这是一种不同于传统光刻技术的全新图形转移技术。纳米压印技术的定义为:不使用光线或者辐照使光刻感光成型,而是直接在硅衬底或者其他衬底上利用物理学的机理构造纳米尺寸图形纳米压印技术是微纳米器件制作工艺中的一个重要技术,纳米压印技术最早由StephenYChou教授在 1995年率先提出,这是一种不同于传统光刻技术的全新图形转移技术。纳米压印技术的定义为:不使用光线或者辐照使光刻感光成型,而是直接在硅衬底或者其他衬底上利用物理学的机理构造纳米尺寸图形。
目前,现有的纳米压印技术一般都是在压印完成后需要完成后续的覆膜和切膜的工作,而现有的覆膜和切膜的工作需要各自不同覆膜设备和切膜设备对其承印物进行覆膜和切膜工作,这样操作复杂,同时,增加了生产成本。
实用新型内容
本实用新型所要解决的问题是提供一种用于纳米压印的自动覆膜切膜装置,其结构合理,省却人力,实现自动覆膜和切膜,大大提高工作效率,减少了生产成本。
为达到上述目的,本实用新型解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种用于纳米压印的自动覆膜切膜装置,包括安装座,位于所述安装座上设有传送带、覆膜装置、切膜装置、传感装置和压辊装置,所述传送带设置在安装座上方,所述切膜装置和压辊装置设置在传送带上方,所述覆膜装置和传感装置设置在安装座上。
进一步,所述覆膜装置包括第一覆膜机构、第二覆膜机构和第三覆膜机构,所述第一覆膜机构和第二覆膜机构设置在传送带上方,所述第三覆膜机构设置在安装座上且位于传送带下方。
进一步,所述第一覆膜机构包括第一覆膜压力控制器、第一覆膜胶辊、第一导向辊和第一保护膜,所述第一覆膜胶辊位于第一覆膜压力控制器下方,所述第一导向辊和第一保护膜位于第一覆膜压力控制器相邻一侧且所述第一保护膜高度高于第一导向辊的高度。
进一步,所述第二覆膜机构包括第二覆膜压力控制器、第二覆膜胶辊、第二导向辊和第二保护膜,所述第二覆膜胶辊位于第二覆膜压力控制器下方,所述第二导向辊和第二保护膜位于第二覆膜压力控制器相邻二侧且所述第二保护膜高度高于第二导向辊的高度。
进一步,所述第三覆膜机构包括第三覆膜压力控制器、第三覆膜胶辊、第三导向辊和第三保护膜,所述第三覆膜胶辊位于第三覆膜压力控制器下方,所述第三导向辊和第三保护膜位于第三覆膜压力控制器相邻三侧且所述第三保护膜高度高于第三导向辊的高度。
进一步,所述切膜装置为电子感应切刀。
进一步,所述传感装置包括第一光纤传感器和第二光纤传感器,所述第一光纤传感器和第二光纤传感器位于切膜装置的前端,所述第一光纤传感器设置在传送带的上方,所述第二光纤传感器设置在安装座上且位于传送带下方。
进一步,所述压辊装置包括压辊压力控制器和设置在压辊压力控制器下方的压辊胶辊。
与现有技术相比,本实用新型的技术方案具有如下优点:
1.本实用新型所提供的一种用于纳米压印的自动覆膜切膜装置,其结构合理,省却人力,实现自动覆膜和切膜,大大提高工作效率,减少了生产成本。
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