[实用新型]一种二维材料电极制作装置有效
| 申请号: | 201820294046.2 | 申请日: | 2018-03-02 |
| 公开(公告)号: | CN207896064U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
| 发明(设计)人: | 潘尧 | 申请(专利权)人: | 苏州锐材半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28 |
| 代理公司: | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人: | 陆晓鹰 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 二维材料 伺服控制 刻刀 刻蚀 等离子体刻蚀 本实用新型 传送带 电极制作 液压伸缩结构 液压伸缩装置 离子体刻蚀 电极图案 自动传送 电极 上端 卡钳 加工 污染 | ||
本实用新型公开了一种二维材料电极制作装置,包括一基座、一基于伺服控制的传送带,传送带上设有多个电动卡钳,还包括基于伺服控制的光刻刀、刻蚀刀以及等离子体刻蚀刀,光刻刀、刻蚀刀及等离子体刻蚀刀的上端分别设有基于伺服控制的第一、第二、第三液压伸缩装置;本实用新型将自动传送结构、光刻刀、刻蚀刀以及离子体刻蚀刀、液压伸缩结构相结合进行电极的加工,不但可较为方便地生成电极图案,而且减少了对二维材料的破坏与污染。
技术领域
本实用新型涉及一种电极制作装置,尤其涉及一种二维材料电极制作装置,属于石墨烯等二维材料电极制作技术领域。
背景技术
在石墨烯、黑磷等二维材料制作电极时候,为了提高器件的性能,我们需要减小沟道尺寸的同时,还需要降低光刻胶对二维材料的污染,为实现上述要求,微掩膜便是最好的实现方法;但是目前进行微掩膜大多采用人工的方式进行,不但加工效率低,而且成品也相对较少,因此,需要设计一种专用设备来进行微掩膜。
发明内容
本实用新型就是针对上述问题,提出一种二维材料电极制作装置,该二维材料电极制作装置采用聚酰亚胺打孔方法,不仅提高了微掩膜的强度,成本也有大幅的缩减。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的一种二维材料电极制作装置,包括一基座、一基于伺服控制的传送带,所述传送带上每间隔一段距离设有一电动卡钳,所述传送带位于基座上,还包括基于伺服控制的三个加工装置,分别为:基于伺服控制的光刻刀;基于伺服控制的刻蚀刀,以及基于伺服控制的等离子体刻蚀刀,所述光刻刀、刻蚀刀以及等离子体刻蚀刀的上端分别设有基于伺服控制的第一液压伸缩装置、第二液压伸缩装置和第三液压伸缩装置,所述光刻刀、刻蚀刀以及等离子体刻蚀刀之间的距离和任意两个电动卡钳之间的距离相等;所述三个液压伸缩装置上端均连接于一L型架体底部,且该L型架体左端和基座上端连接。
作为本实用新型之改进,所述基座上端右侧还设有一基于伺服控制的机械手,该机械手范围为可抓取其附近一电动卡钳上的物体。
作为本实用新型之优选,所述每个电动卡钳之间的距离为10-20公分。
本实用新型将自动传送结构、光刻刀、刻蚀刀以及离子体刻蚀刀、液压伸缩结构相结合进行电极的加工,不但可较为方便地生成电极图案,而且减少了对二维材料的破坏与污染。
附图说明
图1所示的是本实用新型的外观结构图。
其中:1、基座;2、传送带;3、电动卡钳;4、光刻刀;5、刻蚀刀;6、等离子体刻蚀刀;7、第一液压伸缩装置;8、第二液压伸缩装置;9、第三液压伸缩装置;10、L型架体;11、机械手。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细地说明。
由图1可知,一种二维材料电极制作装置,包括一基座1、一基于伺服控制的传送带2,传送带2上每间隔一段距离设有一电动卡钳3,并且传送带2位于基座1上。
本实用新型还包括基于伺服控制的三个加工装置,分别为:基于伺服控制的光刻刀4;基于伺服控制的刻蚀刀5,以及基于伺服控制的等离子体刻蚀刀6,光刻刀4、刻蚀刀5以及等离子体刻蚀刀6的上端分别设有基于伺服控制的第一液压伸缩装置7、第二液压伸缩装置8和第三液压伸缩装置9,同时,光刻刀4、刻蚀刀5以及等离子体刻蚀刀6之间的距离和任意两个电动卡钳之间的距离相等;在本实用新型中,优选每个电动卡钳之间的距离为10-20公分。并且三个液压伸缩装置上端均连接于一L型架体10的底部,且该L型架体10左端和基座1的上端连接。
在基座1上端右侧还设有一基于伺服控制的机械手11,该机械手11范围为可抓取其附近一电动卡钳上的物体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





