[实用新型]一种倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种倒装LED芯片，属于半导体技术领域。包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、反射层、第一钝化层、电极层、第二钝化层、焊盘层和焊接层；第一钝化层上设有延伸至所述N型半导体层的第一通孔和延伸至P型半导体层的第二通孔，第二钝化层上设有延伸至N型电极的第三通孔和延伸至P型电极的第四通孔；焊接层上设有延伸至焊盘层的第五通孔和第六通孔，第五通孔在基准面上的投影区域包括第三通孔在基准面上的投影区域，第六通孔在基准面上的投影区域包括第四通孔在基准面上的投影区域，基准面为衬底设置N型半导体层的表面。本实用新型可以避免在不平整的表面设置焊接层，提高共晶工艺的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为一种新型发光器件，技术发展迅速、应用领域广泛、产业带动性强、节能潜力大，符合低碳的生态经济要求和当代新兴产业的发展趋势，具有节能、环保、长寿、高效等优点。

LED的心脏是一个半导体的晶片，称为LED芯片。LED芯片按照封装方式的不同，可划分为正装结构、倒装结构和垂直结构。其中，倒装结构的LED芯片具有电流大、可靠性高和使用简便的特点，目前已得到大规模应用。

倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、发光层、P型半导体层、P型电极、N型电极、反射层和钝化层。N型半导体层、发光层、P型半导体层、反射层和钝化层依次层叠在衬底上；钝化层上设有延伸至P型半导体层的通孔和延伸至N型半导体层的通孔，P型电极设置在钝化层上并通过延伸至P型半导体层的通孔与P型半导体层形成欧姆接触，N型电极设置在钝化层上并通过延伸至N型半导体层的通孔与N型半导体层形成欧姆接触。

形成上述结构的LED芯片之后，通常会在P型电极和N型电极的整个表面铺设一层焊接材料，以在后续的封装过程中使用共晶工艺将LED芯片焊接在封装支架上。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

P型电极设置在钝化层上并通过延伸至P型半导体层的通孔与P型半导体层形成欧姆接触，N型电极设置在钝化层上并通过延伸至N型半导体层的通孔与N型半导体层形成欧姆接触，P型电极和N型电极都没有设置在平整的表面上，造成P型电极和N型电极的表面不平整(即表面的所有区域不在同一个平面上，具体为设置在通孔内部分的表面相对于设置在钝化层上部分的表面下凹)，进而导致铺设在P型电极和N型电极的整个表面上的焊接材料的表面也不平整。

由于焊接材料的热膨胀系数大，因此焊接材料中非平面区域在使用共晶工艺时很容易形成空洞，而空洞率是评价共晶工艺好坏的重要指标，所以现有封装工艺并不能确保将LED芯片牢牢地固定在封装支架上，极大影响了LED应用的可靠性。

实用新型内容

为了解决现有技术焊接材料中容易形成空洞、极大影响LED可靠性的问题，本实用新型实施例提供了一种倒装LED芯片。所述技术方案如下：

本实用新型实施例提供了一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、反射层、第一钝化层、电极层、第二钝化层、焊盘层和焊接层；所述第一钝化层上设有延伸至所述N型半导体层的第一通孔和延伸至所述P型半导体层的第二通孔，所述电极层包括间隔设置的N型电极和P型电极，所述N型电极通过所述第一通孔与所述N型半导体层形成欧姆接触，所述P型电极通过所述第二通孔与所述P型半导体层形成欧姆接触；所述第二钝化层上设有延伸至所述N型电极的第三通孔和延伸至所述P型电极的第四通孔，所述焊盘层包括间隔设置的N型焊盘和P型焊盘，所述N型焊盘通过所述第三通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第四通孔与所述P型电极连接；