[实用新型]一种倒装LED芯片

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的N型半导体层、发光层、P型半导体层、反射层、第一钝化层、电极层、第二钝化层、焊盘层和焊接层；所述第一钝化层上设有延伸至所述N型半导体层的第一通孔和延伸至所述P型半导体层的第二通孔，所述电极层包括间隔设置的N型电极和P型电极，所述N型电极通过所述第一通孔与所述N型半导体层形成欧姆接触，所述P型电极通过所述第二通孔与所述P型半导体层形成欧姆接触；所述第二钝化层上设有延伸至所述N型电极的第三通孔和延伸至所述P型电极的第四通孔，所述焊盘层包括间隔设置的N型焊盘和P型焊盘，所述N型焊盘通过所述第三通孔与所述N型电极连接，所述P型焊盘通过所述第四通孔与所述P型电极连接；

其特征在于，所述焊接层上设有延伸至所述焊盘层的第五通孔和第六通孔，所述第五通孔在基准面上的投影区域包括所述第三通孔在所述基准面上的投影区域，所述第六通孔在所述基准面上的投影区域包括所述第四通孔在所述基准面上的投影区域，所述基准面为所述衬底设置所述N型半导体层的表面。

2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第五通孔在所述基准面上的投影区域还包括第一边框区域，所述第一边框区域所包围的区域与所述第三通孔在所述基准面上的投影区域重合；所述第六通孔在所述基准面上的投影区域还包括第二边框区域，所述第二边框区域所包围的区域与所述第四通孔在所述基准面上的投影区域重合。

3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一边框区域的内边缘和外边缘之间的距离为2μm～5μm；所述第二边框区域的内边缘和外边缘之间的距离为2μm～5μm。

4.根据权利要求1～3任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述焊接层上还设有延伸至所述焊盘层的第七通孔和第八通孔，所述第七通孔在所述基准面上的投影区域包括所述第一通孔在所述基准面上的投影区域，所述第八通孔在所述基准面上的投影区域包括所述第二通孔在所述基准面上的投影区域。

5.根据权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第七通孔在所述基准面上的投影区域还包括第三边框区域，所述第三边框区域所包围的区域与所述第一通孔在所述基准面上的投影区域重合；所述第八通孔在所述基准面上的投影区域还包括第四边框区域，所述第四边框区域所包围的区域与所述第二通孔在所述基准面上的投影区域重合。

6.根据权利要求5所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第三边框区域的内边缘与外边缘之间的距离为2μm～5μm；所述第四边框区域的内边缘与外边缘之间的距离为2μm～5μm。

7.根据权利要求1～3任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述焊接层的材料包括金和锡中的至少一种。

8.根据权利要求1～3任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述焊接层的厚度为2μm～10μm。

9.根据权利要求1～3任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层包括设置在所述P型半导体层上的金属反射层或内置金属的布拉格反射层、布拉格反射层。

10.根据权利要求9所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射层中的第一通孔在所述基准面上的投影区域的面积，大于所述P型半导体层中的第一通孔在所述基准面上的投影区域的面积。