[实用新型]化合物半导体基板及功率放大模块

说明书

本实用新型涉及化合物半导体基板及功率放大模块。化合物半导体基板具有与第一方向及与第一方向正交的第二方向平行的第一主面、与第一主面对置的第二主面以及从第一主面朝向第二主面形成的凹部，凹部具有形成于第一主面的开口部、与开口部对置的底面以及在开口部与底面之间形成凹部的多个侧面，多个侧面包含：至少一个第一侧面，是沿第一方向延伸的至少一个第一侧面，在凹部的内部与底面所成的角大致为θ(0＜θ＜90)度；至少一个第二侧面，是沿第二方向延伸的至少一个第二侧面，在凹部的内部与底面所成的角大致为φ(90＜φ＜180)度，第一主面与至少一个第一侧面的切线的长度之和比第一主面与至少一个第二侧面的切线的长度之和长。

技术领域

本实用新型涉及化合物半导体基板及功率放大模块。

背景技术

在搭载于移动电话等移动通信设备的功率放大模块中，一般使用化合物半导体器件。在化合物半导体器件中，例如要求抑制高温/高湿环境下的吸湿后的高温回流中的特性变动等，对可靠性的要求变得严格。在高温/高湿环境下，存在化合物半导体芯片从模块基板剥离的问题。针对该问题，例如在专利文献1中，公开了通过在硅半导体芯片的背面形成凹部，并向该凹部中填充粘合剂，来粘合于收容容器的工作台的结构。在该结构中，由于凹部的形状是内部比开口部宽的壶形，所以与基板的接合强度提高。

专利文献1：实开昭61－4430号公报

但是，专利文献1所公开的结构关于硅半导体芯片，对于考虑了化合物半导体的性质的结构，并未进行研究。

实用新型内容

本实用新型是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种耐剥离性提高的化合物半导体基板。

为了实现这样的目的，本实用新型的一个侧面的化合物半导体基板具有：第一主面，与第一方向及与第一方向正交的第二方向平行；第二主面，与第一主面对置；以及凹部，从第一主面朝向第二主面形成，凹部具有：开口部，形成于第一主面；底面，与开口部对置；以及多个侧面，在开口部与底面之间形成凹部，多个侧面包含：至少一个第一侧面，是沿着第一方向延伸的至少一个第一侧面，在凹部的内部与底面所成的角大致为θ(0＜θ＜90)度；和至少一个第二侧面，是沿着第二方向延伸的至少一个第二侧面，在凹部的内部与底面所成的角大致为φ(90＜φ＜180)度，第一主面与至少一个第一侧面的切线的长度之和比第一主面与至少一个第二侧面的切线的长度之和长。

根据本实用新型，能够提供耐剥离性提高的化合物半导体基板。

附图说明

图1是本实用新型的第一实施方式的化合物半导体芯片的俯视图。

图2是图1的A－A线剖视图。

图3是图1的B－B线剖视图。

图4A是用于对凹部3的制造过程进行说明的图。

图4B是用于对凹部3的制造过程进行说明的图。

图4C是用于对凹部3的制造过程进行说明的图。

图4D是用于对凹部3的制造过程进行说明的图。

图4E是用于对凹部3的制造过程进行说明的图。

图5A是安装有本实用新型的第一实施方式的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图5B是安装有本实用新型的第一实施方式的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图6A是安装有形成有凹部(比较例A)的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图6B是安装有形成有凹部(比较例A)的化合物半导体芯片的模块的剖视图。

图7A是安装有形成有凹部(比较例B)的化合物半导体芯片的模块的剖视图。