[实用新型]化合物半导体基板及功率放大模块

权利要求书

1.一种化合物半导体基板，其特征在于，

具有：第一主面，与第一方向及与上述第一方向正交的第二方向平行；第二主面，与上述第一主面对置；以及凹部，从上述第一主面朝向上述第二主面形成，

上述凹部具有：开口部，形成于上述第一主面；底面，与上述开口部对置；以及多个侧面，在上述开口部与上述底面之间形成上述凹部，

上述多个侧面包含：

至少一个第一侧面，是沿着上述第一方向延伸的至少一个第一侧面，在上述凹部的内部与上述底面所成的角大致为θ度，其中，0＜θ＜90；以及

至少一个第二侧面，是沿着上述第二方向延伸的至少一个第二侧面，在上述凹部的内部与上述底面所成的角大致为φ度，其中，90＜φ＜180，

上述第一主面与上述至少一个第一侧面的切线的长度之和比上述第一主面与上述至少一个第二侧面的切线的长度之和长。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其特征在于，

上述第一方向与上述化合物半导体基板的晶体取向中的[011]方向或者[0－1－1]方向平行，

上述第二方向与上述化合物半导体基板的晶体取向中的[01－1]方向或者[0－11]方向平行。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其特征在于，

上述θ为54.7±4，上述φ为180－θ。

4.根据权利要求2所述的化合物半导体基板，其特征在于，

上述θ为54.7±4，上述φ为180－θ。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其特征在于，

从上述凹部的上述开口部到上述底面的距离为上述化合物半导体基板的厚度以下。

6.根据权利要求2所述的化合物半导体基板，其特征在于，

从上述凹部的上述开口部到上述底面的距离为上述化合物半导体基板的厚度以下。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体基板，其特征在于，

上述化合物半导体基板由GaAs或者InP构成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的化合物半导体基板，其特征在于，

上述化合物半导体基板具有从上述第一主面贯通到上述第二主面的导通孔。

9.一种功率放大模块，其特征在于，

具有：

权利要求1～8中任一项所述的化合物半导体基板；

放大元件，形成在上述化合物半导体基板的上述第二主面上；

模块基板，安装有上述化合物半导体基板；以及

粘合剂，介设于上述化合物半导体基板与上述模块基板之间，并被填充至上述凹部，

上述粘合剂的热传导率比上述化合物半导体基板的热传导率高。

10.根据权利要求9所述的功率放大模块，其特征在于，

上述放大元件在上述第二主面上被形成为上述放大元件的大致中心被配置于与上述凹部的上述开口部对置的区域。