[实用新型]MOS驱动电路

说明书

本实用新型公开了MOS驱动电路，包括电源、驱动芯片、MOS管Q2和MOS管Q3；驱动信号H和L传入驱动芯片，然后通过驱动芯片的高端输出引脚和低端输出引脚分别输出驱动信号HO1和LO1至MOS管Q2的基极和MOS管Q3的基极，MOS管Q2的集电极接电源，MOS管Q2的发射极和MOS管Q3的集电极连接，MOS管Q3的发射极接地，MOS管Q2的发射极和MOS管Q3的集电极之间的节点用于接执行机构；驱动芯片的高端输出引脚与MOS管Q2的基极之间设有第一开通控制与关断泄流电路，驱动芯片的低端输出引脚与MOS管Q3的基极之间设有第二开通控制与关断泄流电路。本实用新型能实现快速开通和关断，性能稳定。

技术领域

本实用新型属于驱动电路领域，具体涉及MOS驱动电路。

背景技术

驱动电路(Drive Circuit)，位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管)，驱动电路的作用：将控制电路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。

一般的MOS或者IGBT的驱动电路只是驱动MOS和IGBT(称开关器件)的开通和关断，其电路和功能单一。

实用新型内容

为了解决现有技术存在的上述问题，本实用新型目的在于提供MOS驱动电路。

本实用新型所采用的技术方案为：

MOS驱动电路，包括电源、驱动芯片、MOS管Q2和MOS管Q3；驱动信号H和L通过驱动芯片的高端输入引脚和低端输入引脚传入驱动芯片，然后通过驱动芯片的高端输出引脚和低端输出引脚分别输出驱动信号HO1和LO1至MOS管Q2的基极和MOS管Q3的基极，MOS管Q2的集电极接电源，MOS管Q2的发射极和MOS管Q3的集电极连接，MOS管Q3的发射极接地，MOS管Q2的发射极和MOS管Q3的集电极之间的节点用于接执行机构；所述驱动芯片的高端输出引脚与MOS管Q2的基极之间设有第一开通控制与关断泄流电路，所述驱动芯片的低端输出引脚与MOS管Q3的基极之间设有第二开通控制与关断泄流电路；所述第一开通控制与关断泄流电路和第二开通控制与关断泄流电路均包括相互并联的快速开通支路和关断泄流支路，所述快速开通支路包括相互串联的第一电阻和第一二极管，第一二极管的正极接与之对应MOS管的基极，关断泄流支路包括第二电阻。

具体地，所述第二电阻的阻值大于第一电阻。开通时，第二电阻提供较小的电流使MOS管正常打开；关断时，通过第一电阻和第一二极管较大的电流实现关断，关断速度更快，结合MOS管本身快速关断的性能，实现了快速开通和关断的功能。与此同时，在关断时，MOS管的基极结电容还可通过第一电阻和第一二极管来快速放电，实现关断泄流的作用，使电流性能更加稳定。

作为优选，所述驱动芯片的型号为IRS2181S。

进一步地，所述MOS管Q2的集电极与其发射极之间连接有第一RDC吸收回路；所述MOS管Q3的集电极与其发射极之间连接有第二RDC吸收回路；由于在MOS管的开关过程中会产生尖峰电流电压，第一电容、第二二极管和第三电阻实现尖峰电流电压的吸收，降低或者消除di/dt和dv/dt，以免开关干扰太大，导致EMC过不去，避免MOS管击穿损坏。

所述第一RDC吸收回路和第二RDC吸收回路均包括相互并联后且串联有第一电容的第二二极管和第三电阻，第二二极管的正极接与之对应的MOS管的集电极，第三电阻的一端接与之对应的MOS管的集电极，第二二极管的负极和第三电阻的另一端接第一电容一端，第一电容另一端接与之对应的MOS管的发射极。

进一步地，所述MOS管Q2的基极与其发射极之间连接有电阻R62；所述MOS管Q3的基极与其发射极之间连接有电阻R70；所述MOS管Q3的发射极连接驱动芯片U16的地。